张洪伟+刘思美+杨斌+陈璐寒
摘 要 电力电子技术发展迅速,无论是直流电机还是交流电机控制部分,大都牵扯到有MOSFET组成的H桥驱动电路。但是如果是出现电机堵转或者三相无刷电机出现缺相运行时,会使场效应管MOSFET中的电流急剧增加,可能会远超过场效应管的通态平均电流,烧坏场效应管,这样极大的影响了控制的可靠性和经济性。因此,增加保护电路是必须的,尽可能的减少保护电路的器件和稳定性是研究的方向。本文给出了一种由比较器组成的保护电路,元器件少,稳定性好。
关键词 电机驱动控制板;保护电路;场效应管MOSFET;稳定性;可靠性
中图分类号 TM3 文献标识码 A 文章编号 1674-6708(2016)164-0198-02
1 技术背景
技术背景现在小型机器人发展迅速,机器人的电机控制部分都H桥的控制方式,电机的功率相对于微型控制电路板来说是很大的,电流也很大。如果出现电机的堵转或者控制不合适,导致H桥部分电流远超过额定电流,则可能烧毁电流板。所以在含有H桥电机驱动控制电路的PCB中加入过流保护是完全有必要的。
2 原理阐述
本文的保护电路主要由比较器组成。比较器常见的有过零电压比较器、滞回比较器。本文采用的是普通电压比较器。
将输入电压iU与参考电压进行比较的由集成运放构成的电路称为电压比较器电路,如果参考电压不为零就是普通的电压比较器,如果参考电压为零,称之为过零比较器。对于理想的集成运放而言,其开环电压放大倍数很大,输入电阻无穷大、输出电阻为零。如果当输入电压iU从运放的正极输入,可以认为当r eUU > i时,输出电压oU等于电源电压。如果r eUU < i时,输出电压为零。
3 实现方案
3.1 电路接线原理
过流保护的核心部分主要3,电阻R1、R2和R3并联,跨接在GND1和GND之间,GND1串联电阻R4接到集成运放U的正极,同时正极接电容C到GND,集成运放的负极串联R5接到GND,集成运放由+3.3V供电。在PCB板中采集电路,返回单片机,控制大功率部分1的H桥电路,从而实现过流保护的作用。
3.2 具体实施
如图1所示,过流保护电路包含:大功率部分1、小功率部分2和过流保护的核心部分3组成。大功率部分1为H桥驱动电路。小功率部分2由单片机、电源电路、控制电路构成。
过流保护的核心部分主要3,电阻R1、R2和R3并联,跨接在GND1和GND之间,GND1串联电阻R4接到集成运放U的正极,同时正极接电容C到GND,集成运放的负极串联R5接到GND,集成运放由+3.3V供电。在PCB板中采集电路,返回单片机,控制大功率部分1的H桥电路,从而实现过流保护的作用。
GND1属于大功率部分1的公共地,GND属于除了大功率部分1之外所以部分的公共地。大功率部分1的电路电流通过电阻R1、R2和R3并联从GND1流向GND。当大功率部分1的电路增大时,流过电阻R1、R2和R3的电流也增大,则GND1相对与GND的电位也将增大。
正常情况下,电流在允许的范围内,即GND1和GND之间的电压不会超过。集成运放U的负极参考电压V,集成运放将在正常情况下输出低电平,单片机则不做任何处理。
当出现短路,或者控制异常时,电流过大,使得GND1和GND之间的电压增大。可能使得集成运放的正极电压大于集成运放的负极参考电压V,集成运放将从正常输出为低电平转为输出高电平,反馈给单片机,单片机控制大功率部分1停止工作,同时控制PCB电路电压断开。
4 结论
GND1属于大功率部分1的公共地,GND属于除了大功率部分1之外所以部分的公共地。大功率部分1的电路电流通过电阻R1、R2和R3并联从GND1流向GND。当大功率部分1的电路增大时,流过电阻R1、R2和R3的电流也增大,则GND1相对与GND的电位也将增大。本发明能够在硬件上实现H桥电机驱动电路的过电流保护,确保H桥电路中的芯片在控制不当或异常情况下烧坏的状况。
参考文献
[1]周宦银,吕子勇,马果花,等.电压比较器实验研究[J].实验技术与管理,2012,29(3):42-44.
[2]欧阳宏志.电压比较器的学习方法[J].电气电子教学学报,2011,33(4):91-93.
[3]华成英,童诗白.清华大学电子学教研组编.模拟电子技术基础[M].北京:高等教育出版社,2006.
[4]梁明理,邓仁清.电子线路[M].北京:高等教育出版社,2001.
[5]清华大学电子学教研组编,杨素行主编.模拟电子技术基础简明教程[M].北京:高等教育出版社,2006.