高压双向触发二极管工艺改良

2016-03-30 08:49潘英飞
科技视界 2016年2期
关键词:良率第一版负离子

潘英飞

【摘 要】高压双向触发二极管是负离子发生器不可缺少的元器件。针对客户在使用过程中反映的各类问题,我们对产品进行了持续改进,以期解决问题,使我们的产品能够达到客户的使用要求。测试结果证明,我们的改进是合理和有效的,各参数性能满足客户使用要求,达到进口产品效果。

【关键词】高压双向触发二极管;负离子发生器

【Abstract】High voltage bidirectional Diode is essential semiconductor device to anion generator. Customer met some problem during their utilization of the diode. We take some measures to improve the parameters of SIDAC to solve the problem and meet the requirement of customer. The test result prove that the amendment is effective. Improvement activity brings good feedback and can achieve the standard of imported products .

【Key words】

0 引言

我公司近年来积极推动高压双向触发二极管(简称:SIDAC)的销售工作,主要应用领域是负离子发生器产品,该产品在空气净化(家居、车内、公共场所)、消毒等终端应用领域具有广泛前景。市场上现在主用的是日本SHINDENGEN公司生产的K1V系列产品。推广初期,我公司生产的SIDAC产品在替代SHINDENGEN产品过程中遇到了一些问题,主要表现在输出高压输出电压低,负离子发生器效果降低。针对这一问题,我们对进行了改进,以期解决问题,使我们的产品能够达到日本产品的水平,满足客户的使用要求。

1 实验目的

改进芯片生产工艺,封装后验证在输出电压和输出波形上改进的有效性。

2 改进前后实验数据对比

3 结论

本次实验着重改善了磷扩工艺,同时加宽了芯片边缘二氧化硅层的宽度,以更好的适用封装要求,减少封装过程中造成的应力,大大提高了后道封装良率。从测试数据来看,参数保持稳定,良率提高到了99%。在以后的工作中,我们还需继续深入研究,让我们的产品更加有竞争优势。

【参考文献】

[1][美]施敏,梅凯瑞.陈军宁,柯导明,孟坚,译.半导体制造工艺基础[M].安徽大学出版社,2007年4月第一版.

[2]电子工业半导体专业工人技术教材编写组.半导体器件工艺[M].上海科学技术文献出版社,1984年1月第一版.

[3]主编:庄同曾,副主编:张安康,黄兰芳.集成电路制造技术─原理与实践[M].电子工业出版社;1987年10月第一版.

[4]扬晶琦.电力电子器件原理与设计[M].国防工业出版社;1999年6月第一版.

[责任编辑:王楠]

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