Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55 nm嵌入式闪存技术已获认证

全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商--Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology（SST）与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型（LPx）/RF平台的SST 55 nm嵌入式SuperFlash非易失性存储器（NVM）产品已通过全面认证并开始投放市场。GLOBALFOUNDRIES结合分离栅极单元SuperFlash技术的55 nm工艺经认证测试符合JEDEC标准。同时，这一工艺技术还满足在-40°C至125°C的环境温度范围下AEC-Q100 1级认证标准，耐用性达到10万次的擦写周期，可实现150°C条件下超过20年的数据保存年限。

根据全球知名信息咨询公司IHS预测，2015年汽车半导体市场规模将达到310亿美元，相比2014年增幅可高达7.5%。而基于嵌入式闪存的半导体产品则在这一市场占有相当大的比重。

配备eNVM技术的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台现已开始投放市场。该平台技术备有一个自定义库，包含针对特定MCU产品应用而优化的现成eNVM IP模块，是一款可大幅缩短产品开发周期的解决方案。