换流阀饱和电抗器铁芯硅钢片绝缘耐压分析

2015-02-22 08:17刘士利刘庆达蔡国伟宋卓然
东北电力大学学报 2015年6期
关键词:硅钢片耐压

刘士利,刘庆达,孙 刚,蔡国伟,宋卓然

(1.东北电力大学 电气工程学院,吉林 吉林 132012;2.国网辽宁省电力有限公司经济技术研究院,沈阳 110015)

换流阀饱和电抗器铁芯硅钢片绝缘耐压分析

刘士利1,刘庆达1,孙刚2,蔡国伟1,宋卓然2

(1.东北电力大学 电气工程学院,吉林 吉林 132012;2.国网辽宁省电力有限公司经济技术研究院,沈阳 110015)

摘要:饱和电抗器是直流换流阀的关键设备之一,在晶闸管开通和关断过程中,电抗器铁芯硅钢片会感应出较大的涡流电场,直接影响硅钢片绝缘耐电强度的设计。本文基于磁准静态场,推导了铁芯硅钢片叠片之间的耐压计算公式,并通过COMSOL软件进行仿真分析,验证了公式的正确性。本文所推公式对饱和电抗器的铁芯设计具有重要的指导意义。

关键词:饱和电抗器;硅钢片;耐压;换流阀

我国发电能源和用电负荷分布极不均衡,西部地区经济落后,用电需求小,能源资源却相当丰富;而东部地区经济发达,电力需求量大,能源却最为匮乏;这种能源和负荷中心的分布特点使得跨区域、大规模的电能输送成为必然[1-2]。高压直流输电(high voltage direct current,HVDC)以其输送容量大、输送距离长、系统稳定性强等优势成为大容量、远距离电能传输的最佳技术方案[3-6]。

换流阀实现交直流能量转换,是高压直流输电系统的核心装备之一,通常由饱和电抗器、晶闸管、阻尼电阻、阻尼电容等关键零部件构成[7-9]。其中饱和电抗器起关键保护作用[10-13]:(1)晶闸管开通瞬间,饱和电抗器呈现大阻抗,抑制开通浪涌电流的过快增长;(2)晶闸管开通初期,饱和电抗器铁芯涡流电阻发挥阻尼作用,阻止高频振荡电流的第1波谷电流过零;(3)雷电冲击下,饱和电抗器承担大部分电压应力,保护晶闸管安全运行。

饱和电抗器由铁芯和线圈构成,相当于一台空载变压器,其基本结构如图1所示,两个C型铁芯对接构成完整的磁路,其中C型铁芯由很薄的硅钢片叠加而成,如2所示。

图1 饱和电抗器结构示意图图2 硅钢片叠片结构

在晶闸管开通和关断过程中,由回路电流激发的磁场剧烈变化,铁芯硅钢片中会感应出较大的涡流电场和涡流电动势,从而使得硅钢片之间的绝缘承受一定的电压应力,所以两叠片之间绝缘必须有足够的绝缘强度,否则将发生击穿放电,损坏饱和电抗器,甚至会造成换流阀停运,引起电力传输的中断,因此,研究饱和电抗器铁芯硅钢片之间的绝缘耐压,具有重要的工程意义。本文推导了铁芯硅钢片叠片之间的耐压计算公式,并通过COMSOL软件仿真验证了公式的正确性,该公式对饱和电抗器的铁芯设计具有一定的指导意义。

1硅钢片耐压理论分析

1.1 磁准静态场

根据激励源频率的不同,时变电磁场可分为高频电磁场和低频电磁场,对于低频电磁场,由于电磁场量随时间t变化缓慢,在工程计算中通常忽略二次源的影响,即忽略∂B/∂t或者∂D/∂t,从而将时变电磁场简化为电准静态场或者磁准静态场。变压器和电抗器铁芯中的涡流问题即属于典型的磁准静态场,忽略了位移电流的影响,而仅考虑传导电流,此时磁场和电场分别满足如下方程

(1)

(2)

式中:H为磁场强度,Jc为传导电流,B为磁感应强度,E为电场强度,D为电位移矢量,ρ为电荷体密度。涡流问题可通过求解上述矢量方程得到解决,为简化计算也可以引入位函数进行求解[14]。

1.2 耐压公式推导

高频下硅钢片中的涡流电流会出现严重的肌肤效应,大部分涡流电流沿着硅钢片的外表层流动,如图3a)所示。为便于分析,忽略电磁波的透入深度,即认为电流仅沿硅钢片表面流动,从而将涡流体电流Je等效为线电流ie,见图3b),两叠片之间的电场如图3c)所示。

图3 硅钢片涡流和电场

假设单片硅钢片的涡流电动势为u1,等效涡流电阻为Re,则涡流等效电路分析模型如图4a)所示,该电路模型可进一步等效简化,如图4b)所示,此时绝缘两侧承受的电压应力最为严酷。

图4 硅钢片耐压计算模型

对于单片硅钢片,其截面上的感应电势可按下式计算

(3)

式(3)中,S为单片硅钢片的导磁截面积,Bn为磁通密度在S截面上的法向分量。

设饱和电抗器线圈的励磁端电压为u2,根据电磁感应定律,u2应等于所有硅钢片产生的感应电势之和,即:

(4)

上式中,n为铁芯对数,N2为线圈匝数,N1为硅钢叠片数。联立(3)和(4)可知,单片硅钢片内感应电势u1与线圈端电压u2的关系为

(5)

假设绝缘层厚度为δ,则绝缘层内平均电场强度大小为

(6)

2仿真计算

2.1 模型说明

基于COMSOL软件对饱和电抗器进行仿真分析,模型如图5所示,为便于分析,设定铁芯对数n= 1,硅钢片叠片数N2=2,绝缘层厚度δ=0.01m。

图5 饱和电抗器仿真模型图6 铁芯磁通密度

在线圈中施加电流激励,铁芯中的磁通分布如图6所示,铁芯的涡流电流分布如图7所示;单片硅钢片截面上的涡流电流如图8所示,计算得到的硅钢片绝缘中电场强度为0.06 V/m。

图7 铁芯感应电流密度图8 硅钢片涡流分布

将仿真模型参数带入公式(6)进行计算,其中u2=1V,N1=1 000,计算结果如下

(7)

可以看出,公式计算结果与仿真计算结果基本相符,从而验证了公式推导的正确性。

3结论

本文推导了饱和电抗器铁芯硅钢片绝缘的电场计算公式,得出了绝缘层电场强度与铁芯对数、硅钢片叠数、线圈匝数、绝缘层厚度及线圈端电压之间的关系,并基于COMSOL软件进行了仿真验证,公式计算结果和仿真计算结果基本一致,从而验证了所推公式的正确性。本文公式可以指导饱和电抗器的铁芯设计,具有重要的工程意义。

参考文献

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Analysis of Voltage Stress on Silicon-steel Sheets of Saturable Reactor for HVDC Converter Valves

LIU Shi-li1,LIU Qing-da1,SUN Gang2,CAI Guo-wei1,SONG Zhuo-ran2

(1.Electrical Engineering College,Northeast Dianli University,Jilin Jilin 132012;2.Economic Research Institute of State Grid Liaoning Electric Power Supply Co.,Ltd,Liaoning Shenyang 110015)

Abstract:Saturable reactor is one of the essential equipments of the DC converter valves.The core silicon-steel sheets will induce high electric field in the process of turning-on and turning-off of the thyristor,which will have a dramatic impact on the voltage stress between the silicon steels-sheets.Based on the quasi-static magnetic field,the calculation formula of withstanding voltage between the silicon steels-sheets is derived,and it is verified by comparing the formula calculation and the simulation result which is obtained by the COMSOL software.The formula proposed in this paper has a guiding significance for the saturable reactor core design.

Key words:Saturable reactor;Silicon-steel sheets;Withstand voltage;Converter valves

中图分类号:TM41

文献标识码:A

文章编号:1005-2992(2015)06-0008-04

作者简介:刘士利(1981-) ,男,河北省邢台市人,东北电力大学电气工程学院副教授,博士,主要研究方向:特高压直流输电、电磁场理论及应用.

基金项目:东北电力大学博士科研启动基金项目(BSJXM201301)

收稿日期:2015-09-12

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