基于ACT111的LED驱动电路设计

作者简介：刘婷婷（1971-），女，广东省科技职业技术学校讲师，研究方向：电子产品设计，电子技术实训。

摘要：目前，因为LED灯绿色环保、使用寿命长的优势让它在各行各业得到了广泛的应用，它是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后新的照明革命。该文指出，利用性价比高的ACT111设计LED驱动电路，功能易于实现，并能大量应用于各种场合。

关键词：LED照明技术；ACT111；LED驱动电路；恒流电路。

中图分类号:G712文献标识码:A文章编号：1005-1422（2014）06-0099-03一、引言

随着经济的快速发展，生活水平的逐步提高，大量微电子技术、自动化技术、计算机技术迅速发展，半导体制作工艺日趋成熟，导致 LED技术广泛应用于电力、医疗卫生、民政、工商税务、政法系统等国民经济及社会生活中。研究资料表明，由于LED是冷光源，半导体自身对环境没有任何污染，与一般白炽灯相比，节电效率可以达到90%以上，同样亮度下，采用LED耗电量是白炽灯的1/10。同时，它采用直流驱动，没有频闪，没有红外与紫外的成分，没有辐射污染，显色性高并且有很强的发光方向性，调光性能好，不容易产生视觉误差，这些优点让LED在各种领域都得到了广泛的应用。

二、电路的设计

目前LED发展一般都存在成本高的问题，它的价格一般是白炽灯价格的几十倍；其次是它的电压匹配方面，LED不可以直接连接在220V的交流市电，LED一般都是几伏的低电压驱动，就必须配置一个复杂的变换电路，即电源适配器。本次设计是一款基于ACT111的LED驱动电路，它包括整流滤波部分，降压—升压型转换电路以及取样电路。整机电路如图1所示。

图1基于ACT111的驱动电路

1.驱动IC的选择

在设计这样一个驱动电路时，我们得考虑电路的成本，所以选择IC的理由主要是所谓的性价比，从IC的内部开关管来分主要有内置NPN和MOSFET之分。我们知道内置开关管的导通电阻越小，则其导通损耗就越小，同时因为灯饰内部空间小而对使用的电感与电容的体积有一定的要求，因此希望选择的IC的工作频率要高一些，这样就可以使用较小的电感和电容。同时IC的封装尺寸小一些也有利于PCB板的排版。通过查阅资料得知ACT111的输入电压调节范围是4.5～30V，这使得采用ACT111的驱动电路能提供很宽的驱动电流范围，内部采用N沟道MOSFET管，导通电阻只有0.3欧，采用SOT23-6的封装形式，体伿小。另外，它的开关频率高达1.4兆赫兹，可以采用小尺寸的电感和电容。效率高达90%，但价格仅是0.23元一只。综合以上参数，选择ACT111有比较大的性价比优势，这是降低成本的重要因素。

（1）ACT111的管脚分布与内部结构

ACT111的管脚分布与内部结构如图2、图3所示，ACT111是电流模式降压式，无需外部补偿元件，具有1.5A的LED驱动电流能力，它的输入电压范围大。其内部包括一个PWM控制电路，一个高精度的电压基准，一个振荡器和一个误差放大器，具有内部补偿功能，内置低导通电阻的N沟道MOSFET。利用LED串联回路的检测电阻进行取样，具有高精度性，反馈电压只有0.1V，极大的提高了转换器的效率。

图2ACT管脚分布

图3ACT111内部功能框图

（2）ACT111的功能描述

管脚号管脚名称功能描述1SW内置N沟道MOSFET的源极输出端，外部用来与功率电感器连接。2IN电源输入端。在这个引脚对GND端需连接一个1μF的瓷片电容作旁路电容，焊接时尽量和靠近该引脚和接地端。3DIMPWM调光信号输入端。将该脚空着时，起调光作用，当将该脚接地时，器件停止工作。4FBLED电流反馈调节输入端，该端的反馈的电压为0.1V，LED检测电流通过外部电阻R2连接到GND，将检测电阻上的电压反馈连接到该引脚。5GND接地端。6BST自举端。该引脚给内部N沟道MOSFET的栅极提供驱动电压，该端与SW端使用一颗001μF的电容。

2.整流滤波电路的设计

一般的整流电路，通常都是采用四个二极管进行桥式整流，如图4所示。但我们知道，在设计LED的驱动电路时，占空间不能太大，因此对电路的布局有一定的限制，而在结构上因为采用了降压—升压模式导致了转换效率的降低，在电路中如果采用MOSFET管可以补偿功率损耗，因此，在设计该整流电路时上面两个采用肖基特二极管VD1与VD2，下面两个采用了N沟道MOSFET管。在这里，最好不要全采用MOSFET管，主要原因是成本高，而且参数一旦选择不合理，便容易烧坏管子。改良后的整流滤波电路如图5所示。

输入侧MOSFET管整流工作原理为：假设输入为50Hz、12V的交流电源时，如果上端为正，则输入电压经VD1→C1（负载）→V2源极（S）→V2

图4由四个二极管驵成的整流电路

图5由两个肖基特二极管及N沟道MOSFET管组成的整流电路

漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路；如果输入下端为正时，则输入电压经VD2→C1（负载）→V1源极（S）→V1漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路。MOSFET管V1、V2的驱动电压直接取自输入电压。若输入端采用直流12V电压时，不管哪端为正电压，V1、V2的栅极都有导通的可能，这样也可以完成整流的作用。通过测量相关参数，发现这样的改动可以提高灯具的效率。

为保证LED在整个交流周期内正常工作，所以在整流桥的输出端并联了滤波电容来限制输出电压的纹波，滤波电容C1可选一个330μF的钽电容。 如果选用一般的铝电解电容，在ACT111的IN端与GND地端用短而粗的线再并联一个1μF的瓷片电容，以尽可能减低ESR阻抗。

3.ACT111的降压—升压电路

当驱动电路的输入电压在6～12V之间变化时，那么输出需要3个或以上的LED灯，如果输出的LED灯是串联形式，假设每个灯的UF=3.5V,则需要串联三个LED灯，总的UF为10.5V，但是在ACT111内部原有电路为降压式，如此一来就不能带动三个LED灯了。所以在ACT111的SW端，增加了一个升压的电路环节，如图6所示。但升压转换存在一个断续输出电流，因为这种原因要保持输出电压和输出电流连续必须加入输出电容，这个电容要求能承载电压调节，滤波和负载瞬变期间（比方说调光时）保持电压稳定的作用。一般来说，从低成本方面来考虑，就需要小的输出电容值，但从低纹波电流的要求来说又需要大的电容，所以在选择这个电容时，尽可以考虑满足纹波电流条件的小体积电容。本电路中选择47μF的电容作为输出电容。

图6ACT111的降压—升压电路模式

升压电路由R3、VD4、V3、L1等几个元器件组成，而ACT111的SW端与内部开关管组成了降压电路。当输入电压小于输出电压时，电路进入升压工作模式以满足输出电压的要求。当输入电压大于输出电压时，因为ACT111的SW端与内部开关管组成的降压电路会自动进入降压模式，同样能满足输出电压的需求。增加这个环节的缺点是整体转换效率有所降低，也增加了几个元件，导致排版电路时要合理的布局。

在设计时，电感L1的大小是电路中的关键，从理论上讲电感量越大，恒流精度越高，本电路中因为考虑到体积与成本因素，选择了10μH的电感。取样电路由ACT111的FB端与电阻R1、R2组成， FB端反馈电压与内部精确的基准电压作比较产生误差信号，因此LED工作电流的精度由与它串联的R1、R2的精度决定。R2为取样电阻，本电路中选择0.1欧的阻值。焊接电路时，取样电阻考虑大小为0.1/ILED即可，ILED是希望得到的输出电流值，0.1是ACT111 FB端的反馈电压大小，VD3是续流二极管。

三、 电路的改进

为了达到更好的性能，在排版电路时，一定要优化元器件的排列。首先，输入电容C2应放在IN与地之间，并且用短而粗的线连接。其次，续流二极管与回流电感尽量靠近FB端，以减少该端产生的振荡现象。同时取样电阻R2尽量靠近FB端,否则会引起反馈电压失真。

参考文献：

［1］刘祖明.LED芯片及驱动电路应用速查［M］.北京：化学工业出版社，2012.

［2］张庆双主编.LED应用电路精选［M］.北京：机械工业出版社，2011.

［3］路秋生主编.开关电源技术与典型应用［M］.北京：电子工业出版社，2012.

责任编辑 朱守锂

作者简介：刘婷婷（1971-），女，广东省科技职业技术学校讲师，研究方向：电子产品设计，电子技术实训。

摘要：目前，因为LED灯绿色环保、使用寿命长的优势让它在各行各业得到了广泛的应用，它是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后新的照明革命。该文指出，利用性价比高的ACT111设计LED驱动电路，功能易于实现，并能大量应用于各种场合。

关键词：LED照明技术；ACT111；LED驱动电路；恒流电路。

中图分类号:G712文献标识码:A文章编号：1005-1422（2014）06-0099-03一、引言

随着经济的快速发展，生活水平的逐步提高，大量微电子技术、自动化技术、计算机技术迅速发展，半导体制作工艺日趋成熟，导致 LED技术广泛应用于电力、医疗卫生、民政、工商税务、政法系统等国民经济及社会生活中。研究资料表明，由于LED是冷光源，半导体自身对环境没有任何污染，与一般白炽灯相比，节电效率可以达到90%以上，同样亮度下，采用LED耗电量是白炽灯的1/10。同时，它采用直流驱动，没有频闪，没有红外与紫外的成分，没有辐射污染，显色性高并且有很强的发光方向性，调光性能好，不容易产生视觉误差，这些优点让LED在各种领域都得到了广泛的应用。

二、电路的设计

目前LED发展一般都存在成本高的问题，它的价格一般是白炽灯价格的几十倍；其次是它的电压匹配方面，LED不可以直接连接在220V的交流市电，LED一般都是几伏的低电压驱动，就必须配置一个复杂的变换电路，即电源适配器。本次设计是一款基于ACT111的LED驱动电路，它包括整流滤波部分，降压—升压型转换电路以及取样电路。整机电路如图1所示。

图1基于ACT111的驱动电路

1.驱动IC的选择

在设计这样一个驱动电路时，我们得考虑电路的成本，所以选择IC的理由主要是所谓的性价比，从IC的内部开关管来分主要有内置NPN和MOSFET之分。我们知道内置开关管的导通电阻越小，则其导通损耗就越小，同时因为灯饰内部空间小而对使用的电感与电容的体积有一定的要求，因此希望选择的IC的工作频率要高一些，这样就可以使用较小的电感和电容。同时IC的封装尺寸小一些也有利于PCB板的排版。通过查阅资料得知ACT111的输入电压调节范围是4.5～30V，这使得采用ACT111的驱动电路能提供很宽的驱动电流范围，内部采用N沟道MOSFET管，导通电阻只有0.3欧，采用SOT23-6的封装形式，体伿小。另外，它的开关频率高达1.4兆赫兹，可以采用小尺寸的电感和电容。效率高达90%，但价格仅是0.23元一只。综合以上参数，选择ACT111有比较大的性价比优势，这是降低成本的重要因素。

（1）ACT111的管脚分布与内部结构

ACT111的管脚分布与内部结构如图2、图3所示，ACT111是电流模式降压式，无需外部补偿元件，具有1.5A的LED驱动电流能力，它的输入电压范围大。其内部包括一个PWM控制电路，一个高精度的电压基准，一个振荡器和一个误差放大器，具有内部补偿功能，内置低导通电阻的N沟道MOSFET。利用LED串联回路的检测电阻进行取样，具有高精度性，反馈电压只有0.1V，极大的提高了转换器的效率。

图2ACT管脚分布

图3ACT111内部功能框图

（2）ACT111的功能描述

管脚号管脚名称功能描述1SW内置N沟道MOSFET的源极输出端，外部用来与功率电感器连接。2IN电源输入端。在这个引脚对GND端需连接一个1μF的瓷片电容作旁路电容，焊接时尽量和靠近该引脚和接地端。3DIMPWM调光信号输入端。将该脚空着时，起调光作用，当将该脚接地时，器件停止工作。4FBLED电流反馈调节输入端，该端的反馈的电压为0.1V，LED检测电流通过外部电阻R2连接到GND，将检测电阻上的电压反馈连接到该引脚。5GND接地端。6BST自举端。该引脚给内部N沟道MOSFET的栅极提供驱动电压，该端与SW端使用一颗001μF的电容。

2.整流滤波电路的设计

一般的整流电路，通常都是采用四个二极管进行桥式整流，如图4所示。但我们知道，在设计LED的驱动电路时，占空间不能太大，因此对电路的布局有一定的限制，而在结构上因为采用了降压—升压模式导致了转换效率的降低，在电路中如果采用MOSFET管可以补偿功率损耗，因此，在设计该整流电路时上面两个采用肖基特二极管VD1与VD2，下面两个采用了N沟道MOSFET管。在这里，最好不要全采用MOSFET管，主要原因是成本高，而且参数一旦选择不合理，便容易烧坏管子。改良后的整流滤波电路如图5所示。

输入侧MOSFET管整流工作原理为：假设输入为50Hz、12V的交流电源时，如果上端为正，则输入电压经VD1→C1（负载）→V2源极（S）→V2

图4由四个二极管驵成的整流电路

图5由两个肖基特二极管及N沟道MOSFET管组成的整流电路

漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路；如果输入下端为正时，则输入电压经VD2→C1（负载）→V1源极（S）→V1漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路。MOSFET管V1、V2的驱动电压直接取自输入电压。若输入端采用直流12V电压时，不管哪端为正电压，V1、V2的栅极都有导通的可能，这样也可以完成整流的作用。通过测量相关参数，发现这样的改动可以提高灯具的效率。

为保证LED在整个交流周期内正常工作，所以在整流桥的输出端并联了滤波电容来限制输出电压的纹波，滤波电容C1可选一个330μF的钽电容。 如果选用一般的铝电解电容，在ACT111的IN端与GND地端用短而粗的线再并联一个1μF的瓷片电容，以尽可能减低ESR阻抗。

3.ACT111的降压—升压电路

当驱动电路的输入电压在6～12V之间变化时，那么输出需要3个或以上的LED灯，如果输出的LED灯是串联形式，假设每个灯的UF=3.5V,则需要串联三个LED灯，总的UF为10.5V，但是在ACT111内部原有电路为降压式，如此一来就不能带动三个LED灯了。所以在ACT111的SW端，增加了一个升压的电路环节，如图6所示。但升压转换存在一个断续输出电流，因为这种原因要保持输出电压和输出电流连续必须加入输出电容，这个电容要求能承载电压调节，滤波和负载瞬变期间（比方说调光时）保持电压稳定的作用。一般来说，从低成本方面来考虑，就需要小的输出电容值，但从低纹波电流的要求来说又需要大的电容，所以在选择这个电容时，尽可以考虑满足纹波电流条件的小体积电容。本电路中选择47μF的电容作为输出电容。

图6ACT111的降压—升压电路模式

升压电路由R3、VD4、V3、L1等几个元器件组成，而ACT111的SW端与内部开关管组成了降压电路。当输入电压小于输出电压时，电路进入升压工作模式以满足输出电压的要求。当输入电压大于输出电压时，因为ACT111的SW端与内部开关管组成的降压电路会自动进入降压模式，同样能满足输出电压的需求。增加这个环节的缺点是整体转换效率有所降低，也增加了几个元件，导致排版电路时要合理的布局。

在设计时，电感L1的大小是电路中的关键，从理论上讲电感量越大，恒流精度越高，本电路中因为考虑到体积与成本因素，选择了10μH的电感。取样电路由ACT111的FB端与电阻R1、R2组成， FB端反馈电压与内部精确的基准电压作比较产生误差信号，因此LED工作电流的精度由与它串联的R1、R2的精度决定。R2为取样电阻，本电路中选择0.1欧的阻值。焊接电路时，取样电阻考虑大小为0.1/ILED即可，ILED是希望得到的输出电流值，0.1是ACT111 FB端的反馈电压大小，VD3是续流二极管。

三、 电路的改进

为了达到更好的性能，在排版电路时，一定要优化元器件的排列。首先，输入电容C2应放在IN与地之间，并且用短而粗的线连接。其次，续流二极管与回流电感尽量靠近FB端，以减少该端产生的振荡现象。同时取样电阻R2尽量靠近FB端,否则会引起反馈电压失真。

参考文献：

［1］刘祖明.LED芯片及驱动电路应用速查［M］.北京：化学工业出版社，2012.

［2］张庆双主编.LED应用电路精选［M］.北京：机械工业出版社，2011.

［3］路秋生主编.开关电源技术与典型应用［M］.北京：电子工业出版社，2012.

责任编辑 朱守锂

作者简介：刘婷婷（1971-），女，广东省科技职业技术学校讲师，研究方向：电子产品设计，电子技术实训。

摘要：目前，因为LED灯绿色环保、使用寿命长的优势让它在各行各业得到了广泛的应用，它是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后新的照明革命。该文指出，利用性价比高的ACT111设计LED驱动电路，功能易于实现，并能大量应用于各种场合。

关键词：LED照明技术；ACT111；LED驱动电路；恒流电路。

中图分类号:G712文献标识码:A文章编号：1005-1422（2014）06-0099-03一、引言

随着经济的快速发展，生活水平的逐步提高，大量微电子技术、自动化技术、计算机技术迅速发展，半导体制作工艺日趋成熟，导致 LED技术广泛应用于电力、医疗卫生、民政、工商税务、政法系统等国民经济及社会生活中。研究资料表明，由于LED是冷光源，半导体自身对环境没有任何污染，与一般白炽灯相比，节电效率可以达到90%以上，同样亮度下，采用LED耗电量是白炽灯的1/10。同时，它采用直流驱动，没有频闪，没有红外与紫外的成分，没有辐射污染，显色性高并且有很强的发光方向性，调光性能好，不容易产生视觉误差，这些优点让LED在各种领域都得到了广泛的应用。

二、电路的设计

目前LED发展一般都存在成本高的问题，它的价格一般是白炽灯价格的几十倍；其次是它的电压匹配方面，LED不可以直接连接在220V的交流市电，LED一般都是几伏的低电压驱动，就必须配置一个复杂的变换电路，即电源适配器。本次设计是一款基于ACT111的LED驱动电路，它包括整流滤波部分，降压—升压型转换电路以及取样电路。整机电路如图1所示。

图1基于ACT111的驱动电路

1.驱动IC的选择

在设计这样一个驱动电路时，我们得考虑电路的成本，所以选择IC的理由主要是所谓的性价比，从IC的内部开关管来分主要有内置NPN和MOSFET之分。我们知道内置开关管的导通电阻越小，则其导通损耗就越小，同时因为灯饰内部空间小而对使用的电感与电容的体积有一定的要求，因此希望选择的IC的工作频率要高一些，这样就可以使用较小的电感和电容。同时IC的封装尺寸小一些也有利于PCB板的排版。通过查阅资料得知ACT111的输入电压调节范围是4.5～30V，这使得采用ACT111的驱动电路能提供很宽的驱动电流范围，内部采用N沟道MOSFET管，导通电阻只有0.3欧，采用SOT23-6的封装形式，体伿小。另外，它的开关频率高达1.4兆赫兹，可以采用小尺寸的电感和电容。效率高达90%，但价格仅是0.23元一只。综合以上参数，选择ACT111有比较大的性价比优势，这是降低成本的重要因素。

（1）ACT111的管脚分布与内部结构

ACT111的管脚分布与内部结构如图2、图3所示，ACT111是电流模式降压式，无需外部补偿元件，具有1.5A的LED驱动电流能力，它的输入电压范围大。其内部包括一个PWM控制电路，一个高精度的电压基准，一个振荡器和一个误差放大器，具有内部补偿功能，内置低导通电阻的N沟道MOSFET。利用LED串联回路的检测电阻进行取样，具有高精度性，反馈电压只有0.1V，极大的提高了转换器的效率。

图2ACT管脚分布

图3ACT111内部功能框图

（2）ACT111的功能描述

管脚号管脚名称功能描述1SW内置N沟道MOSFET的源极输出端，外部用来与功率电感器连接。2IN电源输入端。在这个引脚对GND端需连接一个1μF的瓷片电容作旁路电容，焊接时尽量和靠近该引脚和接地端。3DIMPWM调光信号输入端。将该脚空着时，起调光作用，当将该脚接地时，器件停止工作。4FBLED电流反馈调节输入端，该端的反馈的电压为0.1V，LED检测电流通过外部电阻R2连接到GND，将检测电阻上的电压反馈连接到该引脚。5GND接地端。6BST自举端。该引脚给内部N沟道MOSFET的栅极提供驱动电压，该端与SW端使用一颗001μF的电容。

2.整流滤波电路的设计

一般的整流电路，通常都是采用四个二极管进行桥式整流，如图4所示。但我们知道，在设计LED的驱动电路时，占空间不能太大，因此对电路的布局有一定的限制，而在结构上因为采用了降压—升压模式导致了转换效率的降低，在电路中如果采用MOSFET管可以补偿功率损耗，因此，在设计该整流电路时上面两个采用肖基特二极管VD1与VD2，下面两个采用了N沟道MOSFET管。在这里，最好不要全采用MOSFET管，主要原因是成本高，而且参数一旦选择不合理，便容易烧坏管子。改良后的整流滤波电路如图5所示。

输入侧MOSFET管整流工作原理为：假设输入为50Hz、12V的交流电源时，如果上端为正，则输入电压经VD1→C1（负载）→V2源极（S）→V2

图4由四个二极管驵成的整流电路

图5由两个肖基特二极管及N沟道MOSFET管组成的整流电路

漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路；如果输入下端为正时，则输入电压经VD2→C1（负载）→V1源极（S）→V1漏极（D）→输入电压的另一端构成MOSFET管整流回路。MOSFET管V1、V2的驱动电压直接取自输入电压。若输入端采用直流12V电压时，不管哪端为正电压，V1、V2的栅极都有导通的可能，这样也可以完成整流的作用。通过测量相关参数，发现这样的改动可以提高灯具的效率。

为保证LED在整个交流周期内正常工作，所以在整流桥的输出端并联了滤波电容来限制输出电压的纹波，滤波电容C1可选一个330μF的钽电容。 如果选用一般的铝电解电容，在ACT111的IN端与GND地端用短而粗的线再并联一个1μF的瓷片电容，以尽可能减低ESR阻抗。

3.ACT111的降压—升压电路

当驱动电路的输入电压在6～12V之间变化时，那么输出需要3个或以上的LED灯，如果输出的LED灯是串联形式，假设每个灯的UF=3.5V,则需要串联三个LED灯，总的UF为10.5V，但是在ACT111内部原有电路为降压式，如此一来就不能带动三个LED灯了。所以在ACT111的SW端，增加了一个升压的电路环节，如图6所示。但升压转换存在一个断续输出电流，因为这种原因要保持输出电压和输出电流连续必须加入输出电容，这个电容要求能承载电压调节，滤波和负载瞬变期间（比方说调光时）保持电压稳定的作用。一般来说，从低成本方面来考虑，就需要小的输出电容值，但从低纹波电流的要求来说又需要大的电容，所以在选择这个电容时，尽可以考虑满足纹波电流条件的小体积电容。本电路中选择47μF的电容作为输出电容。

图6ACT111的降压—升压电路模式

升压电路由R3、VD4、V3、L1等几个元器件组成，而ACT111的SW端与内部开关管组成了降压电路。当输入电压小于输出电压时，电路进入升压工作模式以满足输出电压的要求。当输入电压大于输出电压时，因为ACT111的SW端与内部开关管组成的降压电路会自动进入降压模式，同样能满足输出电压的需求。增加这个环节的缺点是整体转换效率有所降低，也增加了几个元件，导致排版电路时要合理的布局。

在设计时，电感L1的大小是电路中的关键，从理论上讲电感量越大，恒流精度越高，本电路中因为考虑到体积与成本因素，选择了10μH的电感。取样电路由ACT111的FB端与电阻R1、R2组成， FB端反馈电压与内部精确的基准电压作比较产生误差信号，因此LED工作电流的精度由与它串联的R1、R2的精度决定。R2为取样电阻，本电路中选择0.1欧的阻值。焊接电路时，取样电阻考虑大小为0.1/ILED即可，ILED是希望得到的输出电流值，0.1是ACT111 FB端的反馈电压大小，VD3是续流二极管。

三、 电路的改进

为了达到更好的性能，在排版电路时，一定要优化元器件的排列。首先，输入电容C2应放在IN与地之间，并且用短而粗的线连接。其次，续流二极管与回流电感尽量靠近FB端，以减少该端产生的振荡现象。同时取样电阻R2尽量靠近FB端,否则会引起反馈电压失真。

参考文献：

［1］刘祖明.LED芯片及驱动电路应用速查［M］.北京：化学工业出版社，2012.

［2］张庆双主编.LED应用电路精选［M］.北京：机械工业出版社，2011.

［3］路秋生主编.开关电源技术与典型应用［M］.北京：电子工业出版社，2012.

责任编辑 朱守锂