张 松, 李 杰, 侯利朋, 刘 俊, 陈 伟
(1.中北大学电子测试技术国防科技重点实验室;仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原 030051;2.山西北方惠丰机电有限公司科研设计二所,山西长治 046012)
不同的便携式设备需求的供电电压不尽相同,目前大部分车载电源先将汽车蓄电池的DC12 V升高到AC220 V,再通过车载适配器给车载设备供电。但是两次电压变换会降低电源效率,导致蓄电池续航时间变短[1]。目前也有一些DC/DC电源,但功率都比较小,无法满足某些特殊设备的需求,如车载电脑等。因此对于高功率DC/DC升压电源的需求日益迫切,所以研制开发便携式新型低压开关电源有重要意义[2-3],要求其具有体积小、功率大、损耗小、效率高、应用范围广等优点。
本文在深入了解Boost拓扑结构基础上,提出一种基于UC3843芯片的 DC-DC模块电源设计方案。经过实验验证,该模块电源实现了直流电压12~24 V的转化,且输出电压可在24~31 V之间根据用户的实际需求进行调节[4],并在数码管上实时显示。与此同时,电源输出功率30 W,DC-DC变换效率达到80%,输出纹波电压35 mV,对于输入电压稳定性要求高的便携式设备有一定的实际应用意义。
系统组成原理图如图1所示,采用非隔离Boost结构作为DC-DC主回路拓扑结构,以高性能固定频率电流模式控制器UC3843作为电源的控制芯片,控制开关管的开断,结合电压和电流反馈回路对输出电压进行调节[5-6]。通过LM7805芯片将12 V输入电压稳压到5 V,为ATmega8供电,通过单片机ADC 6通道采集模拟电压,将采集到的模拟输入量转换为数字信号后输出,并在数码管上实时显示。
图1 系统总体组成
硬件电路由DC-DC主拓扑、开关管驱动、输出电压显示三个模块组成。
本设计采用结构比较简单的Boost拓扑回路实现升压功能,由储能电感L1,PWM控制开断的开关晶体管IRF540,续流二极管MBR2045ct及储能滤波电容C4组成,电路图如图2所示。
图2 Boost主拓扑电路图
2.1.1 电感的确定
当开关管处于ton时,开关管为导通状态,二极管处于截止状态,流经电感和开关管的电流逐渐增大,电感两端的电压为Ui,开关管导通和电流取样电阻的压降之和为Us,则电流增加部分ΔILon满足:
当开关管处于toff时,开关管截止,二极管处于导通状态,储存在电感中的能量提供给输出,流经电感和二极管的电流处于减少状态,二极管正向压降为Uf,电感两端电压为Uo+Uf-Ui,则电流减少部分ΔILoff满足:
电路稳定状态下(即电流连续后到最大输出时),ΔILon=ΔILoff得:
若忽略电感损耗(电感输入功率等于输出功率)即满足:
由式(4)和(5)得电感平均电流:
式中,f为开关频率。
为保证电流连续,电感应满足:
由式(6)~(8)可得满足电流连续情况下的电感值:
由式(1)得电感的电流纹波:
根据设计要求计算电感的相关参数。首先,根据输入电压和输出电压确定最大占空比。由式(4)得:
当输出最大负载时至少应满足电路工作在CCM模式下,即必须满足:
其次,考虑在10%额定负载以上电流连续的情况。电路在额定输出时电感纹波电流为平均电流的20% ~30%,增加ΔIL可以减小电感,但为不增加输出纹波电压,须增大输出滤波电容,取30%为平衡点[7],即:
由式(7)和(10)可得式(11):
流过电感的峰值电流:
所以选择50~100 μH且通过10 A电流不会饱和的电感。
2.1.2 开关管的选择
本设计选择MOSFET场效应晶体管作为开关管。MOSFET晶体管是单极型器件,频率特性好,常用于高频低压领域。在选择开关管时,要考虑最大漏-源电压VDSS、连续漏电流ID和导通内阻RDS(ON)[8]。根据确定电感时的相关数据,选择IRF540作为开关管,其具体参数为UDSS=100 V、ID=23 A、RDS(ON)=77 mΩ。
2.1.3 整流二极管的选择
该电路中输出二极管首先须能承受与输出电压等值的反向电压,并能传导负载所需的最大电流,同时防止开关闭合时,电容的电荷流向开关管至其损坏。此外,二极管要有较小的正向压降及电流快速恢复的特点,以减少功率损耗。本设计选用MBR系列肖特基二极管。经过计算,流过二极管的峰值电流为:
所以选择型号为MBR2045ct的肖特基二极管,其参数为:峰值反向电压45 V,正向连续电流20 A,正向压降 0.84 V。
2.1.4 滤波电容的选择
输出电容有滤波和储能的作用,输出电容的选定取决于对输出纹波电压的要求,纹波电压与电容的等效串联电阻ESR有关,电容的允许纹波电流要大于电路中的纹波电流。
另外,为满足输出纹波电压相对值的要求,滤波电容应满足:
式中只有ΔUo是不确定的,由该式知,电容的容值与输出纹波电压成反比关系[9]。
根据计算的ESR值和容值选择电容,由于低温时ESR值增大,故应按低温下的ESR值来选择电容,所以选用2 200 μF/50 V频率特性好的电解电容。
选择和设计MOS管驱动时需注意两个方面。①可提供瞬间短路电流的大小;②高端驱动的NMOS导通时需要栅极电压大于源极电压,而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(UCC)相同,所以这时栅极电压要比UCC4 V。上述4 V就是IRF540的最大导通电压[10]。IRF540仅需要1 mA的短路电流就能导通,因此选用电流控制型芯片UC3843来驱动MOS管的开断。该芯片集成高增益误差放大电路,电流取样比较器及可微调振荡器,能精确的控制占空比。UC3843外围电路图如图3所示。
图3 UC3843外围电路
2.2.1 振荡器电路
UC3843通过Uref引脚输出5 V基准电压给定时电阻R7和定时电容C9充电,C9通过器件内部电流源放电,芯片工作频率:
取R7=7.5 kV,C9=4 700 pF,则f=49 kHz。
2.2.2 电流采样与限流电路
由UC3843内部结构知,采样电流通过电阻转成的采样电压不能超过1 V,否则芯片会保护性的停止输出。考虑取样电阻的功耗及限流影响输出功率,取采样电阻R8=0.04 Ω。当R8串连到MOS管源极时,整流管和电感会造成电流波形的前沿出现较大尖峰,接入R5和C7构成滤波电路滤除尖峰,避免芯片误判而保护性停止输出[11]。
2.2.3 电压反馈电路
UC3843根据电压反馈来确定当前的输出脉宽。R4、R6及R9构成电压反馈电路,通过此反馈来确定脉宽宽度,它和2.5 V基准电压做比较来确定误差电压,若反馈电压高于2.5 V,则脉宽变窄,反之变宽,由此可以确定输出24 V时所选电阻的阻值;通过调节R9的值可以改变输出电压,达到电压可调的目的[12]。
2.2.4 误差放大器电路
UC3843输出端与反相输入端之间应接补偿网络,以便控制闭环频率响应。反馈补偿网络在回路传输特性的处将产生一个极点。取Rf=220 kV、Cf=1 000 pF,该极点可消除功率电路中滤波电容等效串联电路产生的零点,改善放大器的动态响应,从而提高开关电源的稳定性[13]。
2.2.5 推拉输出
当UC3843推拉输出驱动MOS管时,峰值电流可达±1 A,可直接驱动MOS管,但根据MOS管特性,应在推拉输出端和栅极之间接一个20 Ω的电阻以起到隔离缓冲的作用[14]。
ATmega8有一个10位的逐次逼近型 ADC。该ADC与一个8通道的模拟多路复用器连接,能对来自端口C的8路单端输入电压进行采样;ADC还包括一个采样保持电路,以确保在转换过程中输入到ADC的电压保持恒定[15]。通过写ADMUX寄存器的REFSn位把AVCC或内部2.56 V参考电压连接到AREF引脚。在AREF引脚上加一个电容进行解耦,以更好地抑制噪声[16]。
当ADEN置位时参考电压及输入通道选择才生效,ADEN清零时ADC并不耗电,因此在进入节能睡眠模式之前关闭 ADC。设置 ADCSRA寄存器的ADEN即可启动ADC,ADC将转换成的数字量存放于数据寄存器ADCH及ADCL中。
本设计选用ADC6通道采集模拟电压,C0~C3为位选输出,D0~D7为段选输出,AREF接地,参考电压为MVCC,电路图如图4所示。
图4 ATmega电压采集
通过程序控制ADC电压采样,将转换后的数字量进行电压换算,并点亮共阴极数码管实时显示。
系统整机电路,其尺寸:长7 cm,宽4 cm,便携易带。
通过改变负载大小测试系统的承载能力,并计算输出的最大功率及电源效率。数据如表1所示。
输出功率达到30 W,效率达到80%,且效率随负载增大而增大。负载小时,电路中电流较大,二极管和开关管功耗会增大,且电流增大会使电感容易磁饱和,损耗增大。
表1 不同负载的相关数据
输出纹波电压均值为35 mV,如图5所示。
图5 输出电压纹波
该系统可在24~31 V之间稳压输出,其表2。
表2 不同输出电压的相关参数
通过可变电阻R9调整输出电压,从而使反馈电压最终保持在2.5 V左右。
输出电压改变时,系统仍能很好地带负载输出。输出电压28 V,负载30 Ω时,PWM波形正常,输出电压稳定,系统工作正常。
采用UC3843控制开关管开断,Boost拓扑结构升压,电路结构简单,成本低,提高了电源效率及性价比。7×4 cm2的整机结构,便携易带;输出功率达到30 W,如果增大电感线径,输出功率仍可以提高,可以满足某些功率偏大的便携设备的要求;通过调节可变电阻改变反馈电压,达到改变输出电压的目的,并直观显示在数码管上,满足不同设备的供电要求。为DC-DC变换电路的快速实现提供一种工程方面的参考。
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