电脑：效率和功率

新的高端CPU

两个主要的CPU制造商都推出了速度更快但功耗更低的芯片。AMD已经抢先一步，除了更为节能的ARM A57架构的新皓龙处理器，2014年，每个周期性能提升30%的新一代Kaveri CPU也将可以用于笔记本电脑和桌面电脑。而英特尔也将开始更新Haswell处理器和支持SATA Express硬盘驱动器接口的9系列芯片组，SATA Express速度高达16Gb/s，大大地超过了当前SATA 6Gb/s的接口速度，足以支持最快的固态硬盘。除此之外，2014年第一个支持USB 3.1的控制器也将面世。

晶体管制造工艺由22nm缩小到14nm的Broadwell处理器将在2014年下半年开始上架销售，据英特尔介绍，这将能够在性能不变的情况下将功耗降低30%。在高性能、低功耗处理器的支持下，笔记本电脑电池的续航时间将长达15h甚至更久，这将成为一件司空见惯的事情。首先，英特尔将提供一个集成图形芯片的移动版Broadwell处理器，其性能足以支持配备立体摄像机并支持Kinect手势控制功能的超极本。低端版本的Broadwell处理器无需风扇，但即使如此，它的性能也要比目前的智能手机和平板电脑使用的移动芯片更高。而英特尔展示的新一代高性能版本的Haswell E处理器拥有原生8个核心，并且支持新一代的DDR4内存标准。

10TB叠瓦式磁记录硬盘

由于原有的机械硬盘所采用的垂直记录技术已很难再加大存储密度，所以近两年来硬盘驱动器的容量已经无法再继续提升。不过，2014年希捷计划推出采用叠瓦式磁记录（Shingled Magnetic Recording，简称SMR）技术的6TB硬盘。在该技术的支持下，机械硬盘的容量有望提升到8TB和10TB。采用叠瓦式磁记录技术的硬盘写入的磁道相互重叠，而磁头能通过每条磁道在重叠之后没有被覆盖的部分读取数据，因而可提供更高的存储密度，生产出容量更大的硬盘。

垂直闪存单元的固态硬盘

三星研发的一种新型闪存单元V-NAND（Vertical NAND）可大幅提升固态硬盘的容量和可靠性。在V-NAND半导体层中20多个闪存单元被堆叠在一起，存储数据的电子在一个绝缘层上，通过控制栅填充和清空数据，并通过沟道读取数据。V-NAND目前使用的是30nm制程，但通过堆叠可实现20nm闪存的存储密度。而普通20nm制程的闪存擦写次数通常只有3 000次，V-NAND则可以达到30 000多次。三星已计划在2017年生产TB级的芯片，这是传统闪存永远也无法实现的容量。

高速桌面电脑内存

三星等厂商已经开始生产新一代的DDR4内存，它的容量更大并且工作电压更低，时钟频率也比目前的内存模块更高。在未来的一年里，DDR4内存的性能将进一步提升，美光将开始大规模生产其混合内存立方体。

类似于V-NAND，混合内存立方体的结构可以让DDR4实现数倍于普通内存的速率和更低的功耗。不过，其结构必须改良才可以用于家用电脑，预计这将在2016年左右才可以完成。