意法半导体（ST）推出可促进环保且具有高温性能的功率芯片

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）发布一系列新的先进产品。新产品让电源设计人员能够提高太阳能逆变器和电动

汽车、企业计算和工业电机驱动器等诸多应用的能效。

意法半导体率先研制出工作温度达到200°C的高压碳化硅（SiC）功率MOSFET。碳化硅固有属性使其比传统硅功率晶体管节能至少50%，而且器件本身的尺寸还可以变得更小，击穿电压变得更高。这项技术被视为系统能效、微型化和成本优化连续改进的一项重要开发。

碳化硅MOSFET晶体管还能用于太阳能逆变电源，代替传统的高压硅IGBT（绝缘栅双极晶体管），将太阳电池的直流电转变成交流电并入电网，无需任何特殊的驱动电路。此外，因为工作频率高于IGBT，碳化硅MOSFET可缩减电源设备的其它元器件的尺寸，从而降低电源成本，提高能效。

在电动汽车领域，碳化硅器件有望大幅提高能效，降低汽车动力系统的尺寸。作为美国能源部与汽车工业的合作组织，美国汽车动力系统电气电子技术研发小组呼吁，到2020年，将汽车动力系统能耗降低大约二分之一，同时降低尺寸至少20%。该小组的开发路线图计划将宽带隙半导体材料即碳化硅技术列为提高功率转换效率的重点技术，并使该项技术能够在更高的工作温度下更安全可靠地工作。与普通硅器件和竞争对手的碳化硅MOSFET相比，意法半导体的碳化硅器件耐温性能更高（200°C），从而有助于简化汽车冷却系统的设计。

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