无机化学实验WO3/g—C3N4杂化材料的制备及其光催化性能

2013-04-29 13:30黄立英李夜平
考试周刊 2013年58期
关键词:杂化光催化剂催化活性

黄立英 李夜平

摘 要: 本文设计了一个简单易行的WO■/g-C■N■杂化材料的合成及结构、性能表征实验,即采用煅烧法制备WO■/g-C■N■杂化材料;运用FT-IR、XRD、UV-Vis等表征材料的结构;以亚甲基蓝为模型污染物,考察材料的可见光催化性能,旨在使学生初步了解杂化材料的基本知识、常用的表征分析方法,以及环境污染物光催化降解方法。实验内容涵盖无机化学、材料化学、仪器分析、光催化性能测试等方面,有利于培养学生的探索精神和科研能力。

关键词: 无机化学 WO■/g-C■N■杂化材料 制备 光催化性能

无机化学实验是无机化学课程体系的重要组成部分,通过无机化学实验教学,一方面可以加深理论认识,培养创造性思维能力,另一方面可以指导学生将理论运用于实践并指导实践,提高学生分析问题、解决问题的能力。无机化学实验设计应反映最新的科研成果,以提高学生的创新能力,拓宽学生的知识面。本实验内容涉及无机化学、材料化学、仪器分析、光催化性能测试等多方面知识,有助于提高学生的综合能力。

半导体光催化原理是基于半导体材料在光激发下能够产生光生电子-空穴对,因而具有氧化还原能力。光催化剂吸收太阳光后可将水分解成氢气和氧气,也可将环境中的污染物降解为无害物质,具有低能耗、绿色的特征,是一种高级催化氧化还原技术。光催化技术在能源、环境污染等方面具有广阔的应用前景[1]。

WO■和石墨型氮化碳(g-C■N■)均为半导体材料,禁带宽度分别为2.68eV和2.7eV,具有可见光催化活性,但二者的光催化活性不强。通过构建杂化体系,可明显增强材料的光生电子-空穴对的分离效果,因而可提高材料的光催化活性,如WO■与TiO■和Fe■O■的复合[2],[3]。

本文以WO■、二氰二胺为反应物,通过煅烧法制备WO■/g-C■N■杂化材料,运用FT-IR、XRD、UV-Vis等手段对材料的结构进行表征,并考察WO■/g-C■N■杂化材料在可见光照射下降解有机染料的活性。

1.实验部分

1.1试剂和仪器

WO■、二氰二胺和亚甲基蓝(MB)(国药集团化学试剂有限公司);电子天平(北京赛多利斯仪器有限公司);管式炉(天津中环实验电炉有限公司);FT-IR光谱仪(美国Nicolet Avatar 380型);X射线粉末衍射仪(XRD,德国Bruker D8型);UV-vis分光光度计(日本岛津UV-2450型);光反应器(扬州大学城科教仪器设备有限公司);离心机(湖南湘仪H-1650型)。

1.2光催化剂的合成

将适量WO■和二氰二胺混合研磨均匀,置于管式炉中,在氮气气氛下以10℃/min升温至500℃煅烧2h,产物自然冷却,研细。

1.3光催化剂的表征

FT-IR光谱表征样品的特征官能团,XRD表征样品的晶体结构,UV-Vis分光光度计表征样品的紫外-可见漫反射光谱(DRS)。

1.4光催化降解实验

在光催化反应瓶中加入50mg催化剂和50mLMB(10mg/L)溶液,避光磁力搅拌30min,使体系吸附平衡,于665nm波长处测吸光度值(A0)。设定空气流量为1L/min,温度为28℃,开启光源(300W氙灯),间隔一定时间取4mL反应液,10000r/min离心5min,取上清液,于665nm波长处测吸光度值(A)。根据朗伯-比尔定律,溶液的吸光度与浓度成正比,因此可用吸光度代替浓度计算光照后MB的去除率(去除率=(1-C/C■)×100%)。

2.结果与讨论

FT-IR、XRD表征证明合成的样品为WO■/g-C■N■杂化材料,DRS表征说明WO■/g-C■N■杂化材料比g-C■N■具有更强的光生电子-空穴分离效果,光催化活性考察表明WO■/g-C■N■杂化材料比WO■和g-C■N■具有更好的可见光催化降解MB的能力。

通过本实验,学生可以掌握高温煅烧合成杂化材料的方法,了解FT-IR、XRD和UV-Vis等仪器的基本原理和操作方法及相关图谱的解析,学会评价光催化剂活性的基本原理和实验操作。本实验有助于提高学生分析问题和解决问题的能力,培养学生的科研创新精神。

参考文献:

[1]易志刚,徐晓玲,周祚万等.光催化的辅助激发措施及其在环境治理中的应用.材料导报,2010,24(5):7-10.

[2]吕珂臻,李洁,李文章等.WO■-TiO■复合空心球的制备及其光催化性能.中国有色金属学报,2012,22(5):1352-1357.

[3]D.Bi,Y.Xu.Improved Photocatalytic Activity of WO■ through Clustered Fe■O■ for Organic Degradation in the Presence of H■O■.Langmuir,2011,27(15):9359-9366.

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