我国研究出可在单层氧化石墨烯上直接绘制纳米器件技术

近日，中国科学技术大学合肥微尺度国家实验室王晓平研究组、罗毅研究组采用新的方法和工艺，成功实现了在单层氧化石墨烯上直接绘制纳米晶体管器件，为石墨烯技术与大规模集成电路相融合提供了新的可能。

据其研发人员介绍说，他们采用一种全新的设计思路，首先在绝缘的氧化石墨烯上通过局域还原反应，直接制备导电的纳米线路并构筑成晶体管和互联电路。然后，利用表面镀铂的原子力针尖的局域催化作用，在氢气环境下将氧化石墨烯加热到100℃左右，制备出最小宽度仅20纳米的还原石墨烯条带，其电导率超过10的四次方每米西门子，比普通氧化石墨烯提高了100万倍。最后，利用该方法，成功演示了纳米互联电路和场效应晶体管器件。测试结果表明，其性能明显优于目前常用的导电聚合物和非晶硅场效应管器件。