不同溅射时间下AlN缓冲层对Zno薄膜的影响
2012-04-29 00:44赵祥敏李敏君张伟赵文海
哈尔滨理工大学学报 2012年2期
赵祥敏 李敏君 张伟 赵文海
摘要：实验采用射频磁控溅射技术，制备了不同溅射时间下AlN缓冲层的ZnO薄膜，研究了薄膜的结构、形貌及电学性能，结果表明，不同溅射时间下AlN缓冲层Zn0薄膜的生长依然是(002)择优取向，而且当缓冲层溅射时间为60min时，ZnO薄膜的结构和电学性能最好。
关键词：缓冲层；ZnO薄膜；射频磁控溅射
中图分类号：0469文献标志码：A文章编号：1007－2683(2012)02－0114－04
