陈明 胡安 唐勇 汪波
摘要:建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测,探测结果表明,在一定散热奈件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值,利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测。
关键词:绝缘栅双极型晶体管;短时脉冲;结温特性;温度分布;电热耦合