更 正

2010-08-15 00:51:01
电子与封装 2010年4期
关键词:深表歉意气敏研究进展

《电子与封装》2009年12月(第9卷第12期,总第80期)刊登文章《0.13μm GGNMOS管的ESD特性研究》(第11页),第二作者王东的单位地址应为“巴州电力公司塔什店火电厂,新疆 库尔勒 841000”,特此更正。

《电子与封装》2010年3月(第10卷第3期,总第83期)刊登文章《金属氧化物气敏元件的研究进展》(第2 3页),作者申小丹、程东明、吴京京、杨光鲲的单位地址应为“郑州大学物理工程学院,郑州 450001”,特此更正。

同时对由于我们工作失误给作者和读者带来的不便深表歉意!

猜你喜欢
深表歉意气敏研究进展
钴掺杂二氧化钛纳米片的制备及其气敏特性研究
云南化工(2021年8期)2021-12-21 06:37:16
MiRNA-145在消化系统恶性肿瘤中的研究进展
水热法合成WO3纳米片及其甲苯气敏性能研究
陶瓷学报(2020年5期)2020-11-09 09:23:00
更正说明
含笑花(2019年6期)2019-12-09 01:59:32
离子束抛光研究进展
气敏传感器的研究进展
建材与装饰(2018年5期)2018-02-13 23:12:02
独脚金的研究进展
中成药(2017年9期)2017-12-19 13:34:44
更正
现代出版(2015年6期)2015-02-23 02:45:20
EGFR核转位与DNA损伤修复研究进展
特此更正
商(2014年22期)2014-09-28 23:29:56