集成噪声抑制技术的模拟音频子系统

美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）推出集成了噪声抑制技术的模拟音频子系统，适用于智能电话及多功能手机。这款型号为Power Wise LM49155的模拟音频子系统的特点是可以显著改善谈话者的语音信号/背景噪声比，同时可确保传送的语音清晰自然。无论拨打还是接听，手机用户即使身处嘈杂环境中也同样能享受到更清晰的通话质量。LM49155模拟音频子系统可以尽可能地滤除背景噪声，以提高语音识别系统的精度。

美国国家半导体的LM49155模拟音频子系统以最低的功耗实现了噪声抑制功能。当手机处于静态模式时，耳机放大器及麦克风放大器的信号路径只耗用3.7 mA的电流。由于该子系统非常简单易用，因此工程师可以轻松地为手机添加噪声抑制功能，而无需额外花费研发时间为数字信号处理器或微处理器编写及测试语音处理程序代码。

LM49155子系统可以抑制上行链路的噪声并提高下行链路的信噪比，采用36焊球的超小型micro SMD封装，大小只有3.4 mm×3.4 mm。此外，该子系统还内置了可支持自动电平控制（ALC）功能的1.35 W高效率D类(Class D)扬声器驱动器、配备开关/切换噪声抑制功能并以接地电压为参考的耳机放大器以及混频和音量控制功能。

LM49155子系统的上行链路噪声抑制技术利用独特的双麦克风放大器设计抑制远场噪声。通过提高手机耳机信号与环境噪声之间的信噪比，改善了下行链路语音信号的清晰度。LM49155子系统可以保存近距离范围内的上行链路近场语音信号，同时还会将距离麦克风0.5 m之外的背景噪声全部滤除。此外，该子系统还可连续调整下行链路信号，因此无论接听者身处怎样的环境，都能清晰听到对方的声音。

此外，美国国家半导体最新开发的噪声抑制技术也被用于型号为LMV1099的分立式噪声处理IC中。若输入频率为1 kHz，该芯片可提供34 dB上行链路远场噪声抑制功能，其近场信噪比可由6 dB提高至18 dB，下行链路信噪比则有16 dB的改善。LMV1099芯片的其他特性包括：0.1%的上/下行链路总谐波失真及噪声（THD+N），0.07 μA的关断电流，及3.7 mA的供电电流。该芯片电源电压范围为2.7 V至5.5 V，采用25焊球的micro SMD封装。