3-bit-per-cell NAND闪存

美光科技公司 （Micron Technology Inc.）和英特尔公司 （Intel Corporation）联合推出25 nm制程的3-bit-per-cell（3 bpc）NAND闪存，该NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。

与竞争对手 USB、SD（Secure Digital）闪存卡和消费电子产品相比，新推出的 25 nm 64 Gb 3 bpc存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备（数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑）之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。由双方合资组建的 NAND闪存公司IM Flash Technologies（简称 IMFT）所开发的这项 64 Gb（或8 GB）25 nm光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特（单层存储单元）或2比特（多层存储单元）。业内也将3bpc称为三层存储单元（triple-level cell，简称 TLC）。

该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25 nm MLC（多层存储单元）相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个8 GB设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131 mm2，符合行业标准 TSOP（薄型小尺寸封装）封装。