Ramtron 1兆位串行F-RAM提升至满足汽车标准要求

世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位 (Mb)、2.0～3.6 V串行F-RAM存储器FM25V10-G，业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council)针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在-40～+80℃的汽车使用温度范围内正常工作。

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0～3.6 V的宽工作电压范围。它是1兆位串行SPI器件，工作电流为3.0 mA (40 MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40 MHz全总线速率下工作，具有无延迟(NoDelayTM)写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM存储器的理想普适型(drop-in)替代产品。

关于Ramtron International

Ramtron International总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，是专门设计、开发和销售专用半导体存储器和集成半导体解决方案的无晶圆厂半导体公司，产品广泛用于各种应用和全球市场。要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。要获取300-dpi精度产品照片，请访问网页 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx。