碳化硅表面的外延Ｇｒａｐｈｅｎｅ

吴孝松

摘要Graphene具有优异的电学性质，是非常有前途的纳米电子材料，有希望替代硅成为下一代集成电路材料，尽管目前有很多种制备Graphene的方法，但就Graphene在将来集成电路方面的应用而言，在碳化硅上的外延生长法最具潜力，文章首先从Graphene的能带结构开始，简单介绍为什么Graphene具有诸多优异的电学性质，比如异常霍尔效应、室温下的高迁移率、碳纳米管的弹道输运等，然后介绍这种外延生长方法及其发展现状，通过比较在不同碳化硅晶面和在不同条件下生长的Graphene的表面形貌，得出结论，在加热炉内，生长在碳化硅晶体碳面的Graphene拥有特别高的质量，最后文章着重讨论对碳面Graphene的电学表征实验，这些实验证明这种材料中的电子是狄拉克电子。同时也发现材料具有优异的电学性质。