Ｓｉ中３０°部分位错弯结－重构缺陷运动特性的分子模拟

孟庆元　王庆盛

在Si、Ge等半导体材料的生产和制备过程中，不可避免地引入了位错等缺陷，由于位错的存在，严重影响了半导体器件的光学和电学性能，为了获得低位错密度、高质量的半导体器件，人们以Si中的位错为研究对象，进行了长期不懈的研究。