赵敬忠 高积强 金志浩
摘要:在1450℃、N2气氛中制备出Si3N4多孔陶瓷预制体,然后采用两步法制备AlN基复合材料:第一步将熔融A1—10Si-5Mg合金分别在850℃和950℃的温度下,采用无压渗透技术渗透到预制体中形成陶瓷/金属复合材料;第二步对所得复合材料分别在1 200℃和1 300℃进行热处理.扫描电镜和X射线衍射分析结果表明:Al/Si3N4在850℃和950℃渗透期间已开始反应,只要有Si3N4存在,热处理对于消耗自由Al生成A1N和Si十分有效.关键词:氮化铝;浸渗反应;复合材料中图分类号:TB333文献标识码:A文章编号:0253—987X(2004)01—0108—03