绝缘体上硅高温压力传感器研究
2004-04-29 00:44:03张为姚素英张生才赵毅强张维新
西安交通大学学报 2004年2期
张 为 姚素英 张生才 赵毅强 张维新
摘要：采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(S01)高温压力传感器的优化设计，制作出样品，并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试．结果表明：1：2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV／MPa，远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50 mV／MPa)．此外，该传感器能够工作在200℃的高温环境中，有良好的长期稳定性，30d内的零点时间漂移为0．12％．关键词：压力传感器；绝缘体上硅；高温；有限元分析中图分类号：TN379文献标识码：A文章编号：0253—987X(2004)02—0178—03
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