斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测

董小兵　张少云　徐传骧

摘要：采用激光探针表面电荷测量系统，实现了有机／无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量，分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系．实验和计算结果表明，He—Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3 200cm

)和适当的透射深度(≈3．1μm)，对曲线上下沿变化影响很小，测量结果可以直接反映硅表面本身的响应．小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下，表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行，p区的扩展被“钉扎”．表面保护不良时，OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态．对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面，OBIC测量结果表明，当腐蚀时间短时，表面少子寿命较低；反之，则寿命会有所提高．关键词：硅器件；表面耗尽区；光感生电流中图分类号：TN304文献标识石马：A文章编号：0253—987X(2004)06—0623—04