原子能科学技术
器件辐射效应研究及加固技术新进展
- 一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
- 重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究
- 重离子辐照引发的25 nm NAND Flash存储器数据位翻转
- 位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响
- 用于单粒子效应辐照实验的CYCIAE-100白光中子源研究
- Effects of Strain Channel on Electron Irradiation Tolerance of InP-based HEMT Structures
- JFET区宽度对SiC MOSFET单粒子效应的影响
- 基于实验与仿真的SiC JFET单粒子效应研究
- Laser-assisted Simulation of Dose Rate Effects of Wide Band Gap Semiconductor Devices
- Design of Novel and Low Cost Triple-node Upset Self-recoverable Latch
- Study on Color Information Degradation Induced by γ-ray Radiation in CMOS Cameras
- GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池100 MeV质子位移辐照损伤效应实验研究
- PE/CNT复合材料对空间质子的屏蔽效能仿真分析