发光学报
材料合成及性能
器件制备及器件物理
- 氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响
- 金锡共晶互连对HP-LED光热性能的改善
- 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜
- Effect of Channel Layer Thickness on The Device Characteristics of Room Temperature Fabricated In2O3Thin-film Transistors
- 全介质镜微腔的结构设计与发光特性的模拟
- 衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
- Performance Improvement of Blue InGaN Light-em itting Diode w ith A Special Designed Electron-blocking Layer
- 高阻GaN的MOCVD外延生长
- Al/ZnO∶Al薄膜结构的荧光增强效应