2016年4期
刊物介绍
《电源学报》(原《电源技术学报》)，国内统一连续出版物号(刊号)为：CN12-1420/TM，第一主办单位是：中国电源学会。《电源学报》代表中国电源科技界的最高学术水平，是科技人员职称晋级和学位评定的重要参考。
电源学报
宽禁带功率电子器件及其应用专辑 （2016年04期）
- 选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究
- 适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究
- 改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型
- 1 200 V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究
- SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析
- 基于碳化硅功率器件的宽输入电压双管正激式直流电源研究
- SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究
- 基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器
- 基于GaN FETs的高频半桥谐振变换器分析与设计
- 基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化
- 基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计
- 基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器
- 共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究
- 宽禁带器件在电动汽车中的研究和应用
- 耐高温变换器研究进展及综述
- 高压SiC器件在FREEDM系统中的应用
- 双馈风电机组并网次同步振荡研究
- 宽禁带功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评