存储芯片

存储芯片连续涨价，消费电子春天难觅
除进一步提高存储芯片价格涨幅。与之相应，国际存储芯片巨头业绩也明显改善，美光科技2024财年第一财季（2023年9-11月）经营利润由前一季度的-14.72亿美元收窄至-11.28亿美元；三星也上调2023年第四季度业绩预测，其最新营业利润市场预计值为3.49万亿韩元。不过，存储芯片市场回暖并不意味着消费电子的春天来了，从多方数据来看，DRAM、NAND现货价格上涨主要在于原厂商稼动率的下调，三星电子、SK海力士、美光科技增加半導体设备投资的目的或为提升H

证券市场周刊 2023年46期2024-01-07
“存储牛”透视：涨价推动下分销、模组厂商加速提效
在國际主流的存储芯片DRAM和NANDFlash厂商“控产提价”的过程中，国产存储企业也看到了产品涨价的前景。有模组厂商表示，“存储器价格的波动变化正在逐步地向下游传导，刺激客户补库需求，目前看到手机端的需求有复苏的迹象。”上述厂商表示，公司在产品、技术、管理等方面均有精益提升计划，以捕捉国产替代、市占率向头部公司集中的趋势。事实上，存储芯片行业利润在各细分产业链环节中分布不均。半导体行业人士陈启表示，“产业链中设计类公司赚取更多的利润，而模组厂商和分销商

证券市场红周刊 2023年43期2023-11-28
利润暴降、库存高企，芯片行业触底了吗？
“晴雨表”，存储芯片需求从去年下半年起骤降，价格也在快速暴跌。市场调研机构群智咨询在3月底称，存储芯片价格在2022年三季度开始进入快速下跌通道，2023年一季度价格已同比近乎“腰斩”，逼近现金成本。根据CFM闪存市场数据显示，2022年NAND Flash市场综合价格指数下跌41%，DRAM市场综合价格指数下跌35%。另据集邦咨询预测，2023年二季度，NAND价格将继续下降5%～10%，DRAM价格将继续下滑10%～15%。因此，存储厂商普遍业绩承压。

记者观察 2023年5期2023-06-08
国产存储芯片拐点将至？
美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年来自中国市场收入从此前高峰57% 降至约11%。而根据市场咨询机构 Omdia（IHSMarkit）统计，2021年三星电子、铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76%，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM（内存）市场份额约为 94.35%。报道显示，美光在日前声明中表示，公司正在与中国国家互联网信息办公

电脑报 2023年15期2023-04-24
北京君正：高库存待去化减持逢AI
2亿元，其中存储芯片收入为40.54亿元，智能视频芯片收入为6.43亿元；归属净利润为7.89亿元，较上年同期下降14.79%，全年计提资产减值损失2.78亿元，其中第四季度一次性计提了2.01亿元。自2022年10月起，公司的重要股东累计减持套现规模超过10亿元，尚有約18亿元的减持计划等待实施。此外，北京君正应用AI技术的智能视频芯片、微处理器芯片的收入和毛利率均出现不同程度的下滑，研发费用占营业收入的比例不高，与其对外宣称的形成大量成熟的AI算法形成

证券市场周刊 2023年14期2023-04-22
2023年存储板块能否迎来拐点？
向标”之称的存储芯片，在需求破灭与库存高企的多重因素下，更是遭受着有史以来最严重的挫败。根据集邦咨询的最新研究报告，2022年第四季度，全球DRAM内存芯片总收入122.8亿美元，环比大跌32.5％，超过了此前第三季度28.9％的跌幅，甚至已经逼近2008年底金融危机时的历史跌幅极值36％。那么，这股凛冽的寒风要吹到什么时候，存储板块的冬天，要持续到什么时候？存储芯片步入寒冬据TrendForce數据显示，存储芯片价格自2022年年初以来一路走跌，DRAM

股市动态分析 2023年5期2023-03-14
三星利润暴跌为全球芯片业敲警钟
技在内的其他存储芯片公司的减产行列，以应对价格下跌和供过于求的局面。据《华尔街日报》1月31日报道，过去一年存储芯片价格大幅下跌，预计2023年上半年还将延续走低趋势，这对已经裁员减产的芯片企业而言无疑是雪上加霜。行业分析师预测，除三星之外，存储芯片制造商SK海力士第四季度亏损也将达到8120亿韩元。《华尔街日报》　认为，商品化程度高且对市场供需变化敏感的存储芯片是半导体行业的风向标，而目前芯片企业背负大量库存，市场需求持续疲软。包括英特尔、美光科技、西部

环球时报 2023-02-012023-02-01
基于单体多字与多体并行系统优化主存结构研究
采用高效性能存储芯片、增加存储器带宽及构建多层次存储结构在改善二者速度差距上都有积极的作用。相比而言，以单体多字和多体并行的方法对主存结构进行优化，能用更小的成本获得更理想的效果，尤其是多体并行系统的低位交叉方式，对缩小主存和CPU之间速度差距有积极作用。对比得知，从结构上对主存进行调整，可以在一定程度上缩小主存与CPU之间的速度差距。【关键词】存储芯片;带宽;主存结构优化;单体多字;多体并行【中图分类号】G642 【文献标识码】A 【文章编号】1674-

企业科技与发展 2022年4期2022-07-14
寻找“黑匣子”有没有黄金时限？
护内部的数据存储芯片。保证它能够经受1100℃的火焰烧烤30分钟，能够承受2噸重的压力，在水中长时间浸泡也不会损坏。而黑匣子的安装位置则在飞机尾翼下方的机尾处，这里是飞机最不容易损坏的部位。黑匣子上安装了两种紧急定位装置，能在陆地和水下定时发射不同频率的定位讯号，帮助搜救人员用特制的接收机定位。就算有各种坚固的保护，但空难中的黑匣子并非坚不可摧，所以国际航空机构又规定了更加严格的标准，而且记录介质也从磁带式改进成能承受更大冲击的静态存储记录仪，类似于计算机

电脑报 2022年12期2022-04-06
基于单片机的音乐播放器硬件设计
：单片机存储芯片液晶屏音频功率放大器1.设计要求在基于单片机的音乐播放器系统设计中，采用89C58RD+型单片机为硬件基础，通过C语言程序对芯片进行编程。单片机需外接+5V稳压电源，并通过MAX232电平转换芯片和串口接入PC機。单片机工作时，用软件对定时器初值进行设定，从而得到所需要的声音频率;通过四位共阴LED数码管，可显示时间，并可进行定时设置;通过LM386N1芯片，将单片机输出的信号放大，接入喇叭即可发声。2.分析（1）对时间进行定

科技信息·学术版 2021年31期2021-12-03
笔记本电脑高速存储芯片电磁辐射检测
记本产品高速存储芯片的电磁辐射特性没有评价方法和标准，导致产品设计和芯片应用中的电磁干扰问题无法提前识别和快速解决问题进行研究。将会在芯片级电磁辐射测量方法、测量系统、测量工具、评价标准等技术上形成突破，并输出相应的研究和开发成果，最终为高速存储芯片相关企业提供电磁辐射特性的测试测量、质量检测、故障分析。从而确保在高速存储芯片领域电磁技术方向上走在全国前列，保障存储芯片的技术优势。推动高速存储芯片应用突破技术瓶颈，打破产业发展的束缚，支撑经济社会健康高速发

日用电器 2021年8期2021-09-13
兆易创新迎来新爆发
创新最早是以存储芯片起家，到目前为止公司存储芯片业务的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微处理器业务（MCU）及传感器芯片业务占比分别为15%、5%左右，产品应用场景包括了移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。存储芯片大体分类为DRAM、NORflash、NANDflash三种，兆易创新目前的产品主要集中于后两种。结合行业数据来看，存储芯片本身就是高度垄断行业，DRAM、NANDflas

英才 2021年2期2021-09-10
东芯股份闯关科创板：低毛利率冲规模疑虑难消
3年中国国内存储芯片市场规模将达6492亿元，发展空间极为广阔，然而中国存储芯片的自给率仅为15.70%，这对于中国企业而言是一个巨大的机会。在政府倡导集中精力解决一大批“卡脖子”技术的背景下，以集成电路为主业的东芯股份正在申请科创板IPO。产品售价不断下滑按照分工模式不同，集成电路企业的商业模式主要分为两种：IDM模式，即相关厂商独立完成IC设计、晶圆制造、封装、测试全流程;Fabless-Foundry模式，即垂直分工的商业模式，无生产线的IC设计、晶

证券市场周刊 2021年21期2021-06-16
兆易创新迎来新爆发
涨的顺风车？存储芯片龙头的无奈朱一明创立的兆易创新最早是以存储芯片起家，到目前为止公司存储芯片业务的占比仍然居于高位，大概在80%左右，其余微处理器业务（MCU）及传感器芯片业务占比分别为15%、5%左右，产品应用场景包括了移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边、网络、电信设备、医疗设备、汽车电子及工业控制设备等各个领域。存储芯片大体分类为DRAM、NORflash、NANDflash三种，兆易创新目前的产品主要集中于后两种。结合行业数据来看，存储芯片本

英才 2021年3期2021-03-12
某纯电动商用车总里程跳变分析
拆组合仪表存储芯片2.2 分析将仪表供电并接入ON挡电，此时仪表开始工作，并上报总里程，经解析报文发现，其上报的总里程确实为2837km。在实车环境中，组合仪表计算总里程并发送到CAN（Controller Area Network，控制器局域网络）总线上，而后由TBOX采集并发送到监控平台，监控平台解析后予以显示。将仪表的存储芯片拆下来进行分析，如图1和图2所示。该存储芯片的型号是ATMEL 93C86A，通过专用工具读取芯片的数据，发现如下问题点：

汽车电器 2021年2期2021-03-05
国产内存、SSD开售!　激动之余会有多少人买单
难突围的国产存储芯片根据国家海关数据统计，2018年，中国芯片进口总量为3120亿美元，占全球集成电路5000亿美元市场规模的近60%，进口额度超过石油，位列国内进口商品第一位。智能手机、云计算、智能AI、5G通讯等领域，让中国进入了新的科技时代，也产生了巨大的芯片需求。以存储芯片为例，中国的智能手机厂商、PC厂商、服务器厂商使用的DRAM内存、NAND闪存几乎都来自进口，2017年中国存储芯片进口价值896亿美元，市场被三星、SK Hynix、美光、东芝

新潮电子 2020年7期2020-08-12
半导体主题基金持续火爆
合，包括国内存储芯片设计龙头公司兆易创新、生物识别芯片供应商汇顶科技、集成电路封裝测试企业长电科技、半导体设备制造商北方华创等。市场空间广阔年初市场躁动，半导体ETF已有巨大涨幅，纷纷创出净值新高。未来能不能继续参与可能是很多人的疑惑。总体来说，国内半导体行业的体量还非常小，大约是美国的十分之一左右。这个行业通常集中度比较高，容易走出大型企业。而从目前的情况看，国内的企业显然还有很长的路要走。也就是说，如果你相信这个故事，认为中国可以在半导体世界版图上占据

理财周刊 2020年2期2020-08-10
瞬态信号的采集存储技术
存储电路设计存储芯片选择是本产品的关键，为确保可靠选择两种类型存储芯片进行考核验证，为铁电存储芯片FRAM和磁性存储器芯片MRAM。FRAM选用RAMTRON公司的FM22L16，采用并行读写的操作方式，最快写入周期为110ns，存储容量为512KB，工作温度为-40℃～+85℃，具备读写1014次的能力，数据保存时限为10年。MRAM选用EVERSPIN公司的MR4A08B，采用并行读写的操作方式，最写入周期为35ns，存储容量为2MB，工作温度为-40

电子技术与软件工程 2020年4期2020-06-10
大数据模式在起重机械行业中的安全管理
速发展，生产存储芯片流水线装置越来越完善，生产成本也越来越低，让大数据信息的集合在存储芯片中从而为生产服务已成为大多数行业的可能，在起重机械行业中也类似于像航空航天一样加入黑匣子的存储数据信息的盒子，可以更好地促进起重机械安全管理的升级和发展。[关键词]大数据;安全管理;存储芯片;系统[中图分类号]TH21 [文献标志码]A [文章编号]2095–6487（2020）06–0–03Big Data Model is Analysed in the Safe

今日自动化 2020年6期2020-01-06
“坂本幸雄之痛”对中国的启示
于怀的，日本存储芯片企业被韩国用“反周期”投资方式打败之事。在上世纪八九十年代，日本存储芯片产业曾经十分辉煌，英特尔公司为了避其锋芒，舍弃了占据其营收超80%的存储业务，主动转型去做CPU。而最近这些年日本存储芯片企业的节节败退，并非技术不如人，而是大环境影响再加上商业策略失误连连所致。日本企业的工匠精神让他们在经营策略上陷入一种思维定式：不惜成本追求高质量，一定能赢得市场。这种策略在大型机时代或许是对的，但是当计算机产业经历了小型机、工作站、个人电脑、智

环球时报 2019-12-312019-12-31
采用最大修改字节重定向写入策略的相变存储器延寿方法
方式为：多片存储芯片并联、共享访问地址线.因此，一个PCM内存系统的使用寿命问题需要考虑内存系统的结构的影响.一个由多片PCM并联而成的内存系统而言，其寿命取决的因素有：不同地址间的磨损分布和同一地址内的磨损分布.前者指不同地址间的写入频繁程度的差别；而后者指在同一个地址内不同的存储位置，特别是不同存储芯片间的写入频繁程度的差别本文称为片间磨损局部性.为讨论片间磨损局部性对PCM内存的寿命影响，本文首先收集实际应用的内存写入数据，并分析其在各个存储芯片间的

计算机研究与发展 2019年12期2019-12-18
减产、提价、限量供货……国产闪存离我们还有多远？
大品类之一的存储芯片，随着智能手机、智能家居、智能汽车等新兴市场的崛起，开始成为集成电路产业的主力，更进一步成为半导体行业发展的主要驱动力。在这样一个重要的领域中，国内厂商究竟有多少话语权、国产闪存离我们又有多远呢？风起云涌的闪存市场闪存芯片市场近年来一直不平静，2013年开始的暴涨以及2018年开始的暴跌，让闪存芯片出现过山车走势的同时，也影响着全球半导体乃至终端设备市场的走势。资本、技术密集型产业的特点让上游芯片厂商不得不在闪存涨价周期扩产以攫取更多市

电脑报 2019年30期2019-09-10
康佳拟投逾10亿元建存储芯片封测项目
主体投资建設存储芯片封装测试厂。项目拟选址盐城市智能终端产业园;计划2020年年底试生产，固定资产投资金额为5.01亿元。公告显示，经友好协商，盐城高新技术产业开发区管理委员会拟与公司签署投资协议，投资协议的主要内容如下：项目内容是投资建设存储芯片封装测试厂，开展存储芯片的封装测试及销售。项目规模为计划总投入10.82亿元，其中购买设备等投资约5亿元。项目占地为100亩（以国土部门最终出让面积为准）。该项目有利于公司加强在半导体领域的布局，促进公司半导体及

中国电子报 2019年86期2019-01-19
中国存储芯片打破韩美日垄断局面迈出坚实一步
当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有，中国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷纷开始安装机台，预计今年下半年投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。存储芯片主要有NAND Flash、DRAM，在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%，；在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光，市场份额分别为45%

电脑知识与技术·经验技巧 2018年5期2018-09-29
“全球第一”的手机背后，国产存储亟待嵌入
其表现在手机存储芯片产业。手机存储是短板我国手机产业短板之一的存储芯片产业正迎来新一轮洗礼。近日，福建晋华和台湾联电各自发布声明，称因涉嫌专利侵权，福州中院发布“临时禁令”，要求美光停止在华销售部分DRAM和NAND产品。在此之前，媒体披露，由于涉嫌操纵哄抬内存价格，国际三大存储巨头三星、 SK海力士、美光遭中国反垄断调查，或遭罚款8-80亿元。而更早之前，去年12月，美光科技在美国加州提起民事诉讼，控告台湾联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。从诉方变成

通信产业报 2018年24期2018-09-21
多通道NAND Flash存储芯片控制器的设计与实现
Flash存储芯片由于价格低、体积小以及效率高的优势，广泛应用于现代数码产品以及固态硬盘等媒体设备。作为高密度静态可扩展存储器，NAND Flash存储芯片在大容量高速数据存储系统中占据主流地位[1-2]。采用NAND Flash存储芯片作为存储介质的固态盘，比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击，同时具有耗电少、存储密度提升快、可靠性更高的优点，易于实现高速度大容量的存储[3-8]。NAND Flash存储芯片结构每比特成本低，具有更高的

无线电工程 2018年9期2018-08-23
中国对韩美三家半导体企业进行反垄断调查
光是全球三大存储芯片巨头，在DRAM、NAND两大产品线中占据全球绝大多数市场份额。2016年，因行业技术更迭、企业生产线换代，全球存储芯片市场出现近年来罕见的供不应求，并于2016年第三季度全面进入涨价通道。其后涨价带来的成本压力传递至手机、固态硬盘、内存条等消费级产品。根据海关数据，2017年中国进口存储器889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。存储产品的持续涨價给中国产业造成了高成本负荷。

中国知识产权 2018年7期2018-07-31
韩国三星成为全球最大芯片制造商
能手机使用的存储芯片领域，英特尔犹显底气不足。事实上，智能手机销量如今远远超过个人电脑。与此同时，存储芯片开始进入一些新设备，包括汽车。相比之下，三星电子在存储芯片领域大获成功。具有讽刺意味的是，这一业务正是由英特尔在上世纪60年代开创。上世纪90年代初，日本企业在这一领域表现强势。英特尔先是退出这一市场，后来重新进入。三星电子通过购买日本企业的专利授权进入存储芯片市场，去年12月宣布研制出全球最小DRAM芯片，将在全球率先量产。三星电子还是美国高通公司的

经济视野 2018年4期2018-06-09
“疯狂内存条”背后的隐忧
出中国企业在存储芯片领域的黯淡。由于中企在NANDFlash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NANDFlash和DRAM被少数国际大厂，特别是韩国企业所垄断，直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。韩国企业在存储芯片领域对老牌大公司的强势“逆袭”再次表明，将“自由竞争”“小政府”奉为“圣经”完全是自欺欺人。自上世纪80年代以来，三星等公司充分利用存储器行业周期性强的特点，以举国体制为筹码，在价格下跌、生产过剩的大环境下，逆势疯狂扩

环球时报 2017-10-252017-10-25
基于单片机的点餐系统硬件设计
词单片机存储芯片液晶屏中图分类号：TP273.5 文献标识码：A1设计要求在点餐系统硬件部分，主要采用的是24C1024和AT89C51两块芯片，其中24C1024用来存储所有菜名信息，通过AT89C51，将菜谱信息传输给液晶显示。但顾客选择好自己需要的菜品后，菜单将自动存储到AT89C51中，再可以通过串口与电脑直接相连，将菜单传输到数据庫中进行存储，并显示、打印出来。而AT89C51主要是用来控制24C1024与液晶之间数据传输，液晶显示部分以及

科教导刊·电子版 2016年36期2017-04-22
握手言合三星将为新一代Iphone大量供应零部件
存和DRAM存储芯片。但是，从2011年起，三星开始减少对苹果的零部件供应。因为就在那一年，苹果以侵犯专利为由，将三星告上法庭。根据iFixit的拆解报告称，三星如今只向iPhone 7供应DRAM芯片。显示面板和存储芯片（NAND闪存和DRAM存储芯片）向来是苹果iPhone上面最贵的一些零部件。根据市场研究机构IHS Markit的报告，以32GB版本的iPhone 7为例，这些零部件的成本加起来占到物料总成本（219.80美元）的四分之一以上。有报道

中国证券期货 2017年1期2017-02-17
紫光国芯：传紫光集团将入股武汉新芯
芯，双方旗下存储芯片项目有望合并。记者了解到，上市传闻来源于华尔街日报的一则报道，该报道称，清华紫光集团将收购武汉新芯的大部分股权，新武汉新芯将改名长江存储技术有限公司（Yangtze River Storage Technology Co.），紫光集团将拥有这家新公司的50%股权，紫光集团董事长赵伟国则担任新公司的总裁。至于其他的股权，据透露，将由集成电路产业投资基金和武汉政府扶持的另一个基金共同持有。至此，紫光终于踏入了存储领域。据悉，武汉新芯全称为武

股市动态分析 2016年29期2016-08-04
半导体：黄金十年已经开始
素可得，大陆存储芯片有望复制面板产业的成功。市场可能认为：存储芯片是垄断竞争的重资产行业，海外巨头客户、技术、资本先发优势明显，大陆企业难有作为，我们认为：技术更新放缓，弯道追赶拥有时间窗口：摩尔定律已近物理极限，28nm以下经济效益大幅降低，3D技术渐成主流；（1）3D技术更新速度、难度和频率不及2D制程更新；（2）3D技术成熟不久，此时若能通过合资、并购或团队引进获取技术，差距并不明显。市场：存量市场加速转移，增量市场就在大陆。（1）对于移动终端存量市

股市动态分析 2016年26期2016-08-02
WSN节点扩展存储电路及数据的融合处理
设计2.1 存储芯片选型根据系统在现场的实际测试数据，每个节点每次采集的数据量的大小在1kB以内，如果在保持每天1～2次的采集频率下至少保存一年的数据，则选择具有1024kB存储能力的存储芯片就可满足。Microchip公司的24LC1025串行EEPROM芯片支持I2C总线，具有功耗低、可百万次擦写、工作电压范围宽、最低工作温度可到-40℃的特点，满足存储要求及工作环境，故选取其作为所要设计的节点扩展存储芯片。2.2 存储电路设计在这个存储电路中，主器件

电子测试 2015年24期2015-12-21
电子元器：国家扶持产业链发展
亿元增发投入存储芯片市场，半导体产业首次出现资本和实业如此大手笔的合作。从去年提出成立国家半导体产业基金，国家集团和产业基金为代表的先行者积极参与轰轰烈烈的国际半导体并购，市场对中国电子行业的希望又重新燃起。之所以国家会选择在存储芯片这个行业，主要基于几点：1）行业标准化程度高，市场空间足够大。存储芯片市场空间为800亿美金，占比约为整个芯片市场的20%，仅次于逻辑芯片和微处理器芯片，而前两者的产品标准化程度低，因此单个细分市场的空间有限。2）存储芯片最大

股市动态分析 2015年44期2015-09-10
千亿资本再造存储芯片中芯、新芯组建国家队
千亿资本再造存储芯片中芯、新芯组建国家队在1200亿元大基金落地的9个月之后,中国集成电路产业又将迎来一笔规模超过200亿美元的资本投资。近日,知名调研机构TrendForce发布报告称:武汉新芯集成电路制造有限公司被中国政府选为中国存储芯片产业的首要重点区域,未来武汉新芯将募集约240亿美元打造中国的存储芯片产业基地。多位知情人士透露:“中国政府对于存储芯片产业的发展己经密集讨论了接近两年,最近己基本盲定‘在武汉塑造存储芯片产业龙头’,但官方暂未公布这一

电子世界 2015年14期2015-03-25
集成电路业再现大动作国家级芯片存储基地浮现
政府选为中国存储芯片产业的首要重点区域，未来武汉新芯将募集约240亿美元打造中国的存储芯片产业基地。多位知情人士表示：“中国政府对于存储芯片产业的发展已经密集讨论了接近两年，最近已基本敲定”在武汉塑造存储芯片产业龙头，但官方暂未公布这一消息。知情人士称，中芯国际、武汉新芯将联合打造存储芯片国家队，预计需要募资总额250亿美元左右，国家大基金领投，中芯国际、湖北省，以及一些社会资本都会投资。目前，中芯国际、武汉新芯均未对该报告作出回应。存储器的空白2014年

电子工业专用设备 2015年7期2015-03-23
提取破损手机芯片获取电子数据证据的研究
电路板上的主存储芯片与手机电路板分离后，通过专门手机芯片提取设备进行读取，然后再对得到的机身数据进行分析。首先，将机身外围无效器件、锈蚀部分清理掉，露出主存储芯片。该手机采用存储为256Mb Nand存储芯片。在芯片读取设备的支持中确认可进行数据读取后，开始拆除芯片，即将热风枪调节到270℃加热60秒后，将芯片与主板电路剥离。其次，对拆除的存储芯片进行预处理植球除胶后，放置在专用读取设备上读取，用时约1分钟。最后，对读取手机芯片数据进行分析，通过分析系统，

湖北警官学院学报 2015年2期2015-01-14
NORFLASH存储芯片测试程序的设计
RFLASH存储芯片进行测试。实验结果表明，该测试程序的设计能避免由于无测试工具而无法测试到的储存区块损坏造成的设备运行异常，并实现测试自动化。【关键词】NORFLASH;存储芯片;测试程序NOR FLASH技术是Intel于1988年开发的，其特点是芯片内执行，即应用程序可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，是现在市场上主要的非易失闪存技术之一。其传输效率高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益[1]。基于其特点NOR FLA

电子世界 2014年6期2014-10-21
基于单片机的存储测试电路
储测试技术；存储芯片1、引言近年来，在我国学习和应用单片机的热潮始终不减，特别是MCS-51系列。这是由单片机的特点决定的。实际上，从应用通用数字集成电路系统，到广泛应用单片机，是我国电子设计在智能化应用水平上质的飞跃。据统计分析，单片机的销量到目前为止依然逐年递增，而且在很长一段的时间内，单片机依然会是电子设计的主角。大量的外围芯片和接口电路使得单片机应用系统的设计变得简单而且快捷，新型单片机的上市和高级语言的支持进一步延长了单片机的寿命。且长期稳定的

建筑工程技术与设计 2014年35期2014-10-21
国产55纳米相变存储芯片打破国外核心技术垄断
5 纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。目前静态随机存储技术、动态随机存储技术和快闪存储技术应用最为广泛。近几年才逐渐步入商品化的最新一代存储技术——相变存储技术，由于是利用材料相变产生不同的特性作资料存储，存储容量远远大于目前的高端硬盘。与现有传统芯片相比，相变存储器执行速度快1000倍，耐久性

科技传播 2013年23期2013-08-15
嵌入式系统中无线通信技术的设计与实现
；无线通信；存储芯片1.嵌入式系统的相关问题1.1嵌入式系统的定义对于嵌入式系统最普遍认同的定义是：将应用作为中心，计算机技术为基础，软硬件可裁减，适应应用系统对功能、成本、可靠性、体积、功耗严格要求的专用计算机系统。嵌入式系统的操作系统实用性强、体积小、功能强、可定制、管理系统软件。近年来，嵌入式系统完成了从单一的非实时控制系统向多元的实时控制系统的转化，加之性能的不断完善，使它的运用范围更加广阔，例如，网络设备、信息电器、移动计算机设备、工控、医疗仪器

科技致富向导 2013年6期2013-04-23
非易失性存储芯片的两点应用注意
引言非易失性存储芯片历史悠久，如ROM、PROM和EPROM等等。当今，随着便携式低功耗电子设备的大量使用，这类存储器几乎天天伴随着我们。U盘、手机、随身听都是再好不过的例子。不过，我们在感到它们带来的方便和实用的同时，对它们的要求和主要特点也应该心中有数。本文以两类主要的存储芯片EEPROM和FLASH为例，总结了两个不太被一般使用者所注意的特点。2.数据保存的时间有限无论是EEPROM还FLASH芯片，生产商都不保证其中的数据可以无限期地保存下去。例如

电子世界 2013年1期2013-03-28
永磁电机电气参数的采集存储显示系统的设计
5P64作为存储芯片，主要用于电气参数的存储;在Windows XP下用VB开发了一套可视化、智能化的系统应用软件，主要用于显示、分析存储在FLASH芯片中的电气参数。该系统很容易得到电机在运行过程中详细充分的状态信息和故障信息，为电机的故障分析提供了很大帮助，具有广泛的应用前景。1 系统结构本系统主要由永磁电机、下位机、存储芯片和上位机组成。下位机与上位机采用CAN总线技术进行通信，永磁电机与下位机采用SPI总线技术进行通信，存储芯片与下位机采用SPI总

电机与控制应用 2012年10期2012-08-28
基于FPGA的语音存储与回放系统
9采样状态图存储芯片HM628128D控制模块为jicunnx。在实际的操作过程中，任何存储芯片对于数据的存储与读取都需要一定的控制信号，这样方能实现数据的存储与读取。为此，我们在FPGA芯片中对于该存储芯片的控制进行了设计。同样用状态机的思想来实现，程序略。三态门，由于存储芯片HM628128D的数据端是双向端口，输入输出共用，所以FPGA和它连接的时候需要设计三态门，使得在HM628128D进行读操作时，三态门处于高阻状态。其实现的电路封装后的形式如图

电子世界 2011年9期2011-04-27
存储标准化进行时
tel下一代存储芯片,并结合UIT在存储体系、软件、产品、方案方面的强大实力,共同开发基于开放架构的、标准化的统一存储平台,从而降低开发和部署成本,增强存储的灵活性和扩展性,简化存储应用。业内人士认为,UIT与Intel的合作揭开了存储标准化发展历史上新的一页。此次双方的合作可谓优势互补。Intel将向UIT提供技术文档、设计指南、技术支持、解决方案等全方位的支持。UIT将基于雄厚的研发实力,根据技术和市场发展趋势,并结合Intel的技术战略和路线,与In

中国计算机报 2009年25期2009-04-27

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